FQP30N06L MOSFET에 대한 완전한 가이드
FQP30N06L은 전기 흐름을 제어하기 위해 많은 전자 장치에서 사용되는 MOSFET의 한 유형입니다.효율적이고 신뢰할 수있는 것으로 유명하여 전력 관리, 모터 제어 및 기타 고전류 응용 분야에서 인기있는 선택입니다.이 기사에서는 FQP30N06L을 훌륭한 옵션으로 만드는 이유를 설명하고 기능을 살펴보고 프로젝트에서 사용할 수있는 다양한 방법을 탐색합니다.회로에서 작업하거나 새로운 것을 구축하든이 가이드는이 MOSFET이 디자인에 어떻게 적용되는지 이해하는 데 도움이됩니다.목록
FQP30N06L은 무엇입니까?
그만큼 FQP30N06L 3.3V 또는 5V와 같은 마이크로 컨트롤러의 신호와 같이 저전압 입력으로 완전히 켜지는 N- 채널 MOSFET의 유형입니다.전력 손실을 줄이고 얼마나 빨리 켜지고 꺼질 수 있는지 개선하기 위해 특별히 만들어졌습니다.자동차 시스템, DC/DC 컨버터 및 휴대용 장치의 전원 관리와 같은 것들에 유용합니다.또한 전압 스파이크를 처리하도록 제작되었으므로 모터가있는 회로 또는 전력 서지가 발생할 수있는 전원 공급 장치를 스위칭하는 데 적합합니다.
FQP30N06L 핀 구성이 설명되었습니다
| 핀 번호 | 핀 이름 | 설명 |
| 1 | 문 | MOSFET의 기초를 제어합니다 |
| 2 | 물을 빼다 | 전류가 흐르는 곳 |
| 3 | 원천 | 전류가 흐르는 곳 |
FQP30N06L CAD 세부 사항 및 3D 모델
전기 기호
물리적 레이아웃 (발자국)
구성 요소의 3D 모델
FQP30N06L의 특징
FQP30N06L에는 회로의 구성 요소를 선택할 때 눈에 띄는 몇 가지 기능이 있습니다.
패키지 유형 세부 정보
이 MOSFET은 To-220 패키지를 사용하는데,이 패키지는 강력한 설계와 좋은 열 소산으로 유명합니다.금속 탭은 열이 구성 요소에서 더 쉽게 빠져 나가도록하여 냉각에 도움이됩니다.이는 구성 요소가 많은 전류를 처리하거나 전력이 굶주린 애플리케이션에서 사용될 때 특히 유용합니다.
트랜지스터의 유형
FQP30N06L은 N- 채널 MOSFET이므로 양의 전압이 게이트에 적용될 때 전류가 흐를 수 있습니다.N- 채널 MOSFET은 많은 회로에서 선호됩니다. 일반적으로 전원이 켜져있을 때 저항이 낮아서 전원 관리에 더 효율적이기 때문입니다.
회로에 어떻게 장착되는지
FQP30N06L은 회로 보드의 구멍을 통해 장착되도록 설계되었습니다.이 통계 장착은 강력한 물리적 연결을 제공하며 MOSFET이 제자리에 유지되도록 진동이나 움직임이있는 것과 같은 스트레스가 많은 환경에서 특히 유용합니다.
지속적인 전류 처리
이 MOSFET은 최대 32A의 연속 전류를 처리 할 수 있습니다.이것은 많은 전력을 관리 할 수 있으므로 모터 나 대형 전원 공급 장치와 같이 많은 양의 전류를 끌어들이는 장치에 적합한 선택이됩니다.
드레인과 소스 사이의 전압 공차
FQP30N06L은 배수구와 소스 사이에 최대 60 볼트의 전압을 처리 할 수 있습니다.따라서 자동차 시스템이나 산업 장비에서 발견되는 것과 같이 더 높은 전압 레벨을 관리 해야하는 회로에 적합합니다.
더 나은 효율성을위한 저항이 낮습니다
주요 특징 중 하나는 45 MΩ의 낮은 배수 소스 저항입니다.이 낮은 저항은 MOSFET이 켜져있을 때 생성 된 열량을 줄이는 데 도움이되므로 에너지 낭비가 적고 전체적으로 더 효율적인 성능을 제공합니다.
게이트 전압 범위
게이트는 최대 ± 20 볼트의 광범위한 전압을 처리 할 수 있습니다.이렇게하면 회로를 디자인 할 때 유연성을 제공합니다. MOSFET을 손상시키지 않고 다양한 게이트 전압을 사용할 수 있기 때문입니다.
전력 소산 용량
FQP30N06L은 과열없이 최대 79 와트의 전력을 소산 할 수 있습니다.이것은 과열에 대해 걱정하기 전에 많은 에너지를 처리 할 수 있음을 의미하므로 전력 인버터와 같이 고전력이 필요한 응용 분야에 이상적입니다.
온도 내성
-55 ° C ~ +175 ° C의 넓은 온도 범위에서 작동합니다.추운 환경이나 고열 산업 응용 분야에서 사용하든이 MOSFET은 계속해서 안정적으로 기능합니다.
FQP30N06L의 이점
FQP30N06L은 다양한 회로에서 잘 수행하는 데 도움이되는 몇 가지 장점을 제공합니다.
켜져있을 때 저항이 낮습니다
국가 저항은 0.035 Ω에 불과하므로 열로 전력이 줄어 듭니다.이것은 특히 높은 전류를 다룰 때 회로를보다 에너지 효율적으로 만듭니다.
게이트의 빠른 충전
15NC의 게이트 전하가 있으면 FQP30N06L은 빠르게 켜지고 꺼집니다.이 빠른 응답은 PWM (Pulse-Width Modulation) 모터 컨트롤러와 같은 응용 분야에서 유용하며 빠른 스위칭 속도가 성능을 향상시킵니다.
낮은 출력 커패시턴스
50pf의 출력 커패시턴스는 더 빠른 전환을 허용합니다.이는 특히 빠르고 효율적인 성능을 원하는 DC-DC 변환기 및 인버터와 같은 고주파 회로에 특히 도움이됩니다.
빠른 스위칭 속도
단지 15 ns에서 켜지고 60 ns에서 꺼집니다.이러한 빠른 전환 시간은 전원 공급 장치 스위칭과 같은 빠른 응답이 필요한 응용 프로그램에 이상적입니다.
전압 서지를 테스트했습니다
FQP30N06L은 고 에너지 펄스를 견딜 수 있도록 테스트되므로 모터 제어 또는 전원 스위칭 회로와 같이 전압 스파이크가 발생할 수있는 상황에서는 신뢰할 수 있습니다.
전압의 빠른 변화를 처리합니다
MOSFET은 손상없이 전압의 빠른 변화를 처리하도록 만들어졌습니다.따라서 빠른 전환 또는 변동 전압이 포함 된 애플리케이션에 이상적입니다.
FQP30N06L의 상세한 사양
| 유형 | 매개 변수 |
| 수명주기 상태 | Active (마지막 업데이트 : 2 일 전) |
| 공장 리드 타임 | 4 주 |
| 산 | 구멍을 통해 |
| 장착 유형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 핀 수 | 3 |
| 무게 | 1.8g |
| 트랜지스터 요소 재료 | 규소 |
| 전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ℃ | 32A TC |
| 구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS) | 5V 10V |
| 요소 수 | 1 |
| 전력 소실 (최대) | 79W TC |
| 지연 시간을 끕니다 | 60 ns |
| 작동 온도 | -55 ° C ~ 175 ° C TJ |
| 포장 | 튜브 |
| 시리즈 | QFET® |
| 게시 | 2013 |
| JESD-609 코드 | E3 |
| pbfree 코드 | 예 |
| 부품 상태 | 활동적인 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (무제한) |
| 종료 수 | 3 |
| ECCN 코드 | 귀 99 |
| 저항 | 35mohm |
| 터미널 마감 | 주석 (SN) |
| 전압 - 정격 DC | 60V |
| 현재 등급 | 32A |
| 요소 구성 | 하나의 |
| 작동 모드 | 향상 모드 |
| 전력 소산 | 79W |
| 지연 시간을 켜십시오 | 15 ns |
| FET 유형 | n 채널 |
| 트랜지스터 응용 프로그램 | 전환 |
| rds on (max) @ id, vgs | 35m Ω @ 16a, 10V |
| vgs (th) (max) @ id | 2.5V @ 250μa |
| 입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds | 1040pf @ 25v |
| 게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs | 20NC @ 5V |
| 상승 시간 | 210ns |
| VGS (Max) | ± 20V |
| 가을 시간 (유형) | 110 ns |
| 연속 드레인 전류 (ID) | 32A |
| 임계 값 전압 | 2.5V |
| JEDEC-95 코드 | TO-220AB |
| 소스 전압 (VGS)에 게이트 | 20V |
| 소스 분해 전압으로 배수 | 60V |
| 공칭 VG | 2.5 v |
| 키 | 16.3mm |
| 길이 | 10.67mm |
| 너비 | 4.7mm |
| SVHC에 도달하십시오 | SVHC 없음 |
| 방사선 경화 | 아니요 |
| ROHS 상태 | ROHS3 준수 |
| 무료로 리드 | 무료로 리드 |
FQP30N06L의 테스트 회로
FQP30N06L의 게이트 전하 테스트 회로 및 파형
FQP30N06L의 저항 스위칭 테스트 회로 및 파형
FQP30N06L에 대한 외부 유도 스위칭 테스트 회로 및 파형
FQP30N06L에 대한 대체 옵션
| 부품 번호 | 설명 | 제조업체 |
| FQP30N06L 트랜지스터 | N- 채널 QFET® MOSFET 60V, 32A, 35MΩ, 3LD, TO220, JEDEC, 성형, 1000/레일 | Fairchild Semiconductor Corporation |
| FQP30N06LJ69Z 트랜지스터 | 전력 필드 효과 트랜지스터, 32A (ID), 60V, 0.045ω, 1- 요소, N- 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, TO-220, 3 핀 | Fairchild Semiconductor Corporation |
FQP30N06L에 대한 응용 프로그램
FQP30N06L은 스위치 모드 전원 공급 장치, 모터 컨트롤 및 오디오 증폭기를 포함한 광범위한 회로에서 작동합니다.고전류 핸들링과 빠른 스위칭이 필요한 장치에 적합한 옵션입니다.
FQP30N06L의 실제 사용
FQP30N06L은 다재다능하며 다양한 유형의 회로에서 사용될 수 있으며 전자 시스템을 구축하거나 수리 할 때 유연성을 제공합니다.
전력 관리 회로
이 MOSFET은 효율성과 빠른 응답이 필요한 전력 관리 회로에서 잘 작동합니다.에너지를 절약 해야하는 배터리 작동 장치 및 시스템에 적합합니다.
모터 제어 응용 분야
FQP30N06L은 모터 제어 응용 분야에서 잘 작동하여 운동 속도와 토크를 정확하게 제어 할 수 있습니다.이것은 전기 자동차, 로봇 및 모터 조절이 필요한 기타 장치에 유용합니다.
DC 모터 조절
DC 모터를 제어 할 때 빠른 스위칭 속도는 매끄럽고 효율적인 작동을 보장하여 노이즈를 줄이고 성능을 향상시킵니다.
스위치 모드 전원 공급 시스템
이 MOSFET은 스위치 모드 전원 공급 장치에 이상적이며, 빠른 스위칭과 낮은 열 생성으로 인해 시스템이 더 효율적이고 더 오래 지속됩니다.
오디오 앰프 회로
오디오 증폭기, 특히 클래스 D 앰프에서 FQP30N06L은 빠른 스위칭과 저색 왜곡을 제공하여 전력 사용량이 적은 고품질 사운드를 보장합니다.
고속 스위칭 회로
인버터, 컨버터 및 상태에서 빠른 전환이 필요한 기타 장치와 같은 고속 스위칭 회로에서 잘 작동합니다.
DC/DC 변환기의 전압 조절
FQP30N06L은 일반적으로 DC/DC 컨버터에서 사용되며, 효율성 및 빠른 스위칭은 에너지를 낭비하지 않고 계단 전압을 위 또는 아래로 도와줍니다.
FQP30N06L의 물리적 치수
제조업체에 대해
반도체에서는 FQP30N06L과 같은 고품질 MOSFET을 생성합니다.그들의 제품은 자동차, 소비자 전자 제품 및 산업 장비를 포함한 다양한 산업에서 널리 사용됩니다.그들은 에너지 효율적인 구성 요소를 만드는 것으로 유명합니다. 부드럽게 작동하는 회로를 구축하고 전력을 절약 할 수 있습니다.
데이터 시트 PDF
FQP30N06L 데이터 시트 :
자주 묻는 질문 [FAQ]
1. FQP30N06L MOSFET은 무엇입니까?
FQP30N06L은 QFET® 패밀리의 일부인 N- 채널 향상 모드 Power MOSFET입니다.평면 스트라이프 및 DMO와 같은 고급 MOSFET 기술을 사용하여 구축되어 국가 저항을 낮추고 스위칭 성능을 향상시킵니다.또한 고 에너지 펄스를 처리 할 수있어 다양한 응용 분야에 적합합니다.
2. 논리 수준 MOSFET은 무엇을 의미합니까?
로직 레벨 MOSFET은 마이크로 프로세서가 제공하는 낮은 전압 레벨로 완전히 켜지도록 설계되었습니다.일반적으로 10V가 필요한 일반 MOSFET과 달리 논리 레벨 MOSFET은 5V 또는 4.5V에서 작동합니다.MOSFET이 10V에서만 작동을 지정하면 논리 수준으로 간주되지 않습니다.
3. MOSFET이 작동하는지 어떻게 테스트 할 수 있습니까?
MOSFET을 테스트하려면 다음 단계를 따르십시오. 테스트 프로브의 금속 부분과의 접촉을 피하고 케이스 또는 탭으로 MOSFET을 잡습니다.먼저 '게이트'터미널에 미터의 양의 리드를 놓습니다.다음으로 양수 프로브를 '배수'터미널로 이동하십시오.낮은 독서는 MOSFET이 작동하고 있음을 나타냅니다.
4. MOSFET의 주요 유형은 무엇입니까?
MOSFET에는 두 가지 기본 유형이 있습니다 : 고갈 모드 및 향상 모드.이 두 유형은 모두 N- 채널 및 P 채널 변형으로 제공되므로 총 4 가지 유형의 MOSFET이 생깁니다.각 유형은 특정 회로 설계에 따라 사용할 수 있습니다.