그만큼 LF356 모 놀리 식 JFET 입력 운영 앰프 기술의 세계에서 주목할만한 진화를 나타냅니다.BI-FET ™ 기술을 통해 고전압 JFET을 기존 바이폴라 트랜지스터와 통합함으로써 놀라운 성능 특성을 달성합니다.예를 들어, 오프셋 전압 및 드리프트 감소와 함께 인상적으로 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류를 유지합니다.오프셋 조정 기능을 사용하면 안정적인 드리프트 및 공통 모드 제거 비율이 가능합니다.또한 높은 비율, 광대 한 대역폭 및 신속한 정착 시간을 자랑합니다.또한 디자인은 소음 수준을 크게 줄이고 1/F 노이즈 코너를 낮게 보여줍니다.
LF356의 아키텍처는 운영 앰프의 다양한 요소를 미세 조정하는 것을 강조합니다.BI-FET ™ 기술을 통해 표준 바이폴라 트랜지스터와 일치하는 고전압 JFET을 사용 하여이 장치는 우수한 입력 특성을 제공하는 데 탁월합니다.그중에는 매우 낮은 입력 바이어스 및 오프셋 전류가 있으며, 정확한 응용 분야의 정확성을 위해 도구 적입니다.지속적인 안정성에 유리한 최소 오프셋 전압 및 드리프트는 조절 가능한 오프셋 기능과 함께 작동하여 장치가 다양한 운영 상황에서 드리프트 및 공통 모드 거부 성능을 유지할 수있게합니다.
실제 경험을 통해 LF356과 같은 장치는 정밀성과 안정성이 깊은 가치가있는 시나리오에서 번성하는 것으로 알려져 있습니다.높은 슬로우 속도와 광대 한 대역폭은 대부분 고속 아날로그 컴퓨팅 및 신호 처리에 유리하므로 그러한 영역에서 선호하는 선택이됩니다.실험실은 종종 정확하고 신뢰할 수있는 결과를 얻기 위해 이러한 증폭기에 의존합니다.또한, 빠른 정착 시간은 특히 신속한 응답과 정밀도가 큰 의미를 갖는 데이터 수집 시스템에서 유리합니다.감소 된 전압/전류 노이즈 및 낮은 1/F 노이즈 코너는 신호 순도를 보호하는 고 충실도 오디오 및 계측 응용 프로그램에 대한 적합성을 더욱 향상시킵니다.
핀 이름 |
핀 번호. |
I/O |
설명 |
균형 |
1, 5 |
나 |
입력 오프셋 전압에 대한 균형 |
+입력 |
3 |
나 |
비 반전 입력 |
-입력 |
2 |
나 |
반전 입력 |
NC |
8 |
- |
연결 없음 |
산출 |
6 |
영형 |
산출 |
V+ |
7 |
- |
긍정적 인 전원 공급 장치 |
다섯- |
4 |
- |
음의 전원 공급 장치 |
특징 |
설명 |
하이브리드 및 모듈 교체 |
고가의 하이브리드 및 모듈 FET OP AMP를 대체합니다 |
JFET 내구성 |
에 비해 블로우 아웃 핸들링에 견고한 JFET을 사용합니다
MOSFET 입력 장치 |
저 소음 성능 |
높음과 함께 저음 응용 프로그램에 탁월합니다
낮은 소스 임피던스;매우 낮은 1/F 코너 |
오프셋 조정 안정성 |
오프셋 조정은 드리프트 또는 공통 모드를 저하시키지 않습니다
대부분의 모 놀리 식 증폭기에서 볼 수있는 거부 |
큰 용량 성 부하 처리 |
새로운 출력 단계는 큰 용량 성 부하를 지원합니다 (최대 최대
안정성 문제가없는 5,000 pf) |
내부 보상 및 높은 차동 입력
능력
|
내부 보상을 제공하고 큰 지원을합니다
차동 입력 전압 |
다음은 Texas Instruments의 기술 사양 및 속성에 대한 테이블 형식입니다. LF356N.
유형 |
매개 변수 |
산 |
구멍을 통해 |
장착 유형 |
구멍을 통해 |
패키지 / 케이스 |
8-DIP (0.300, 7.62mm) |
핀 수 |
8 |
작동 온도 |
0 ° C ~ 70 ° C |
포장 |
튜브 |
시리즈 |
BI-FET ™ |
JESD-609 코드 |
E0 |
pbfree 코드 |
아니요 |
부품 상태 |
쓸모없는 |
수분 감도 수준 (MSL) |
1 (무제한) |
종료 수 |
8 |
ECCN 코드 |
귀 99 |
터미널 마감 |
주석/납 (SN/PB) |
포장 방법 |
레일 |
최대 전력 소산 |
670MW |
터미널 위치 |
이중 |
기능 수 |
1 |
공급 전압 |
15V |
터미널 피치 |
2.54mm |
기본 부품 번호 |
LF356 |
핀 수 |
8 |
공급 전압 |
15V |
채널 수 |
1 |
운영 공급 전류 |
5MA |
공칭 공급 전류 |
5MA |
전력 소산 |
670MW |
출력 전류 |
25MA |
최대 공급 전류 |
10MA |
슬림 속도 |
12V/μs |
건축학 |
전압 피드백 |
증폭기 유형 |
J-FET |
공통 모드 거부 비율 |
80dB |
전류 - 입력 바이어스 |
30pa |
전압 - 공급, 단일/듀얼 (±) |
± 15V |
입력 오프셋 전압 (VOS) |
10MV |
무도 공급 전압 -NOM (VSUP) |
-15V |
Unity Gain BW-NOM |
5000 kHz |
전압 게인 |
106.02dB |
평균 바이어스 Current-Max (IIB) |
0.0002μa |
전원 공급 장치 거부 비율 (PSRR) |
80db |
낮은 오프셋 |
아니요 |
주파수 보상 |
예 |
전압 - 입력 오프셋 |
3MV |
저 바이어스 |
예 |
바이어스 Current-Max (IIB) @25c |
0.0002μa |
입력 오프셋 Current-Max (IIO) |
0.002μa |
키 |
3.3mm |
길이 |
9.27mm |
너비 |
6.35mm |
SVHC에 도달하십시오 |
SVHC 없음 |
방사선 경화 |
아니요 |
ROHS 상태 |
비 로HS 준수 |
무료로 리드 |
리드를 포함합니다 |
LF356 작동 증폭기는 급성 정밀도와 빠른 응답 성을 모두 요구하는 도메인에서 번성합니다.고속 통합기의 구성 요소로서의 유용성은 현저한 지연으로 신속한 신호 변화를 적절하게 처리하므로 주목할 만하다.D/A 및 A/D 컨버터 구체에서 LF356은 디지털-아날로그 및 아날로그-디지털 변환을 적절하게 관리하여 디지털 신호 처리 프레임 워크 및 통신 시스템에서 두드러진 역할을합니다.
높은 임피던스 버퍼
높은 임피던스 버퍼링을 요구하는 시나리오에서 LF356은 여러 전송 컨텍스트에서 신호 무결성을 유지합니다.센서 인터페이스 또는 드라이버 스테이지에 사용되는 LF356은 안정적인 버퍼를 제공하여 전체 시스템 성능을 향상시킵니다.
광대역 증폭기
LF356의 도달 범위는 광범위한 주파수 응답 범위가 높이 평가되는 광대역 증폭기 응용 프로그램으로 확장됩니다.무선 주파수 통신 및 방송 장비에서 LF356은 강력한 신호 증폭을 보장하여 속도와 품질을 모두 유지하여 세심한 엔지니어링을 보여줍니다.
저음 및 드리프트 응용 프로그램
민감한 오디오 장비 또는 정확한 측정 도구와 같은 최소 소음 간섭 및 드리프트가 핵심 인 경우 LF356이 빛납니다.저음 기여는 대부분 사소한 수준의 간섭조차 파괴적 일 수있는 환경에서 주로 필수적이며 엔지니어링을 더욱 세분화하기위한 지속적인 노력을 구현합니다.
특수 로그 및 광전지 증폭기
로그 및 광 셀 증폭기 구성은 LF356의 안정성과 반응성의 다양한 조명 수준 또는 지수 작업에 대한 이점이 있습니다.광학 감지 및 정교한 계산 작업의 응용은 LF356이 신뢰할 수있는 성능 기준선을 제공하여 광에 민감한 기술의 혁신을 촉진하는 방법을 보여줍니다.
효율적인 샘플 및 유지 회로
샘플 및 홀드 회로에서 LF356은 탁월하여 정확한 신호 값을 능숙하게 캡처하고 유지합니다.이 역할은 데이터의 타이밍과 정확성이 주목할만한 디지털 시스템에서 중요합니다.실제 용도에는 프로세스 무결성을 유지하기 위해 순간 신호 스냅 샷의 충실도에 의존하는 다양한 계측기 및 디지털 변조 시스템이 포함됩니다.
Texas Instruments (TI)는 반도체 기술에서 존경받는 유산을 1958 년으로 거슬러 올라갑니다.오늘날 전 세계적으로 30,000 명을 초과하는 인력이있는 TI는 특히 유망한 아날로그 및 임베디드 처리 부문에서 혁신의 경계를 추진하는 리더로 남아 있습니다.협업을 통해 도전 과제 해결에 대한 회사의 헌신은 전 세계적으로 기술 발전을 추진하는 원동력입니다.
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이상적인 운영 앰프 품질을 조사 할 때 LF356은 LM741을 뚜렷하게 능가합니다.이 장점은 LF356의 FET 입력에서 비롯되며, 이는 입력 전류가 현저히 낮아집니다.강화 된 슬리트 속도를 자랑합니다.이러한 특성은 다양한 응용 분야에서 LF356의 채택을 옹호하는데, 대부분 입력 임피던스 및 주파수 응답의 최적 관리가 필요합니다.복잡한 신호 처리의 신뢰성과 효율성을 활용하여 고성능 회로를 위해 LF356을 선호 할 수 있습니다.이러한 성능 매개 변수의 미묘함은 회로 설계 목표 및 특정 응용 프로그램 요구의 상세한 분석에 있습니다.
LF356의 최대 출력 전압의 결정에는 외부 구성 요소에 의해 변조 된 몇 가지 교차 요인 입력 전압 및 게인이 포함됩니다.데이터 시트 사양에 따라 전압 및 고유 전압 스윙.일반적으로 ± 15V 공급으로 10K 하중으로 ± 13V 또는 2K 하중에서 ± 12V 결과를 예상 할 수 있습니다.이러한 변수 간의 상호 작용을 이해하면 회로 효율 및 출력 성능을 최적화하도록 안내합니다.실습 경험은 복잡한 전압 규정에 접근 할 때 신중한 매개 변수 밸런싱의 중요성을 보여줍니다.
LF356은 출력 단계로 인해 레일 대 레일 출력을 달성하는 데 구조적으로 배제됩니다.Darlington 쌍으로 구성된 NPN 트랜지스터로 설계되었습니다.이 배열은베이스-이미 터 접합의 전압 감소의 약 2 배 (약 1.3V) 전압 감소를 생성합니다.이 특성은 공급 레일에 출력 전압 근접성이 사용되는 응용 분야에 대한 OP-AMPS를 선택할 때 고려 사항이 필요합니다.트랜지스터 레벨 작동의 정확한 이해는 설계 제약 조건을 수용하면서 APT 구성 요소를 선택하는 데 도움이됩니다.
5MHz 게인 대역폭 제품 (GBW)이 부여 된 LF356은 LM741의 1MHz GBW가 고주파 애플리케이션에 더 적합한 것을 능가하는 것보다 성능이 뛰어납니다.작동 전압 범위가 유연성을 허용 할 때 진화하는 기술적 요구가 현대 OP-AMP에 끌릴 수 있음을 인식 할 수 있습니다.최신 솔루션을 수용하면 최첨단 기술 프로젝트에서 신호 충실도 및 운영 대역폭을 향상시킬 수 있다는 수년간의 반복 설계 및 테스트 확인이 있습니다.현대 구성 요소의 이러한 미래 생각 통합은 전자 응용 분야에서 향상된 정밀도를 추구하는 것과 일치합니다.
11월5일에서
11월4일에서
1월1일에서 2915
1월1일에서 2477
1월1일에서 2064
11월8일에서 1858
1월1일에서 1749
1월1일에서 1703
1월1일에서 1647
1월1일에서 1532
1월1일에서 1521
1월1일에서 1496