10월16일에서 131

IRF620 MOSFET : 기능, 교체 및 응용 프로그램

전력 관리 및 전자 시스템에서 전환 작업을 할 때 신뢰할 수있는 구성 요소를 찾으면 큰 차이가 생길 수 있습니다.IRF620은 최대 6A의 전류와 200V를 처리하도록 설계된 N- 채널 파워 MOSFET로, 고출력 애플리케이션을위한 확실한 선택입니다.이 기사는 주요 기능에서부터 일반적인 용도, 동등한 등에 이르기까지 IRF620에 대해 알아야 할 모든 것을 안내합니다.

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IRF620 전원 MOSFET 개요

그만큼 IRF620 다양한 전자 시스템에서 전원 관리 및 전환을 위해 설계된 N 채널 전력 MOSFET입니다.최대 6A의 전류와 최대 200V 전압을 처리 할 수있어 고성능 응용 분야에 안정적인 선택이됩니다.이 MOSFET을 차별화하는 것은 DMOS 기술로, 저항이 켜질 때 저항을 줄입니다.이로 인해 작동 중에 전력이 낭비되므로 에너지 효율이 향상됩니다.

IRF620의 강점 중 하나는 고 에너지 펄스를 관리하는 능력입니다. 즉, DC/DC 컨버터 또는 전원 공급 장치와 같이 갑작스런 전력 서지가 발생할 수있는 상황에서는 잘 작동합니다.또한, 개선 된 스위칭 성능을 통해 상태와 끄기 주 사이의 전환이 매끄럽고 빠르며, 이는 빠르고 효율적인 스위칭이 필요한 회로에 도움이됩니다.전반적으로 IRF620은 모터 제어, 전력 변환 및 안정되고 안정적인 성능이 필요한 기타 전자 시스템과 같은 응용 프로그램을위한 확실한 선택입니다.

IRF620 핀아웃

핀 번호	핀 이름
1	문
2	물을 빼다
3	원천

IRF620 3D CAD 모델

IRF620 주요 사양

유형	매개 변수
산	구멍을 통해
장착 유형	구멍을 통해
패키지 / 케이스	TO-220-3
핀 수	3
트랜지스터 요소 재료	규소
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ℃	6A TC
구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS)	10V
요소 수	1
전력 소실 (최대)	70W TC
작동 온도	-65 ° C ~ 150 ° C TJ
포장	튜브
시리즈	PowerMesh ™ II
JESD-609 코드	E3
부품 상태	쓸모없는
수분 감도 수준 (MSL)	1 (무제한)
종료 수	3
ECCN 코드	귀 99
터미널 마감	무광택 주석 (SN)
추가 기능	빠른 스위칭
전압 - 정격 DC	200V
피크 리플 로우 온도 (셀)	지정되지 않았습니다
준수 코드에 도달하십시오	not_compliant
현재 등급	6A
Time@Peak Reflow 온도 용량 (S)	지정되지 않았습니다
기본 부품 번호	IRF6
핀 수	3
자격 상태	자격이 없습니다
요소 구성	하나의
작동 모드	향상 모드
전력 소산	70W
FET 유형	n 채널
트랜지스터 응용 프로그램	전환
rds on (max) @ id, vgs	800mΩ @ 3a, 10V
vgs (th) (max) @ id	4V @ 250μa
입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds	350pf @ 25V
게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs	27NC @ 10V
상승 시간	30ns
VGS (Max)	± 20V
연속 드레인 전류 (ID)	6A
임계 값 전압	4V
JEDEC-95 코드	TO-220AB
소스 전압 (VGS)에 게이트	20V
배수 current-max (abs) (id)	6A
저항 함에서 배수 소스	0.8Ω
소스 분해 전압으로 배수	200V
펄스 드레인 전류-함량 (IDM)	24A
피드백 캡-맥스 (CRSS)	80 pf
ROHS 상태	ROHS3 준수
무료로 리드	무료로 리드

IRF620 MOSFET 기능

IRF620 MOSFET에는 전원 공급 장치 회로에서 모터 제어 시스템에 이르기까지 다양한 유형의 애플리케이션에 적합한 다양한 기능이 있습니다.이러한 기능을 이해하면 다양한 전자 설계에 널리 사용되는 이유를 알 수 있습니다.

현재 취급 : 5.0A, 200V

IRF620은 최대 5.0A의 연속 배수 전류를 처리하도록 설계되었습니다.또한 최대 200V의 배수 소스 전압 (VDS)으로 효율적으로 작동합니다.이로 인해 IRF620은 모터 제어 시스템 또는 무정전 전원 공급 장치와 같이 고전류 및 고전압이 필요한 고전력 응용 분야에 적합합니다.고전력을 관리하는 능력은 대량의 에너지가 전달되는 회로에서 신뢰할 수있게합니다.

온 상태 저항 (RDS (ON)) : 0.8Ω @VGS = 10V

MOSFET이 켜지면, 온 상태 저항 (RDS (ON))이라고하는 드레인과 소스 사이의 저항은 10V의 게이트 소스 전압 (VGS)에서 0.8 옴입니다.이 낮은 상태 저항은 IRF620이 열 형태로 에너지 손실이 적음으로 전류를 수행 할 수 있음을 의미합니다.이는 전원 공급 장치 또는 DC-AC 컨버터를 전환하는 것과 같이 특히 에너지 효율이 우려되는 시스템에서 더 높은 효율성으로 해석됩니다.저항이 낮을수록 전력 손실을 최소화하는 데 더 잘 수행됩니다.

낮은 게이트 전하 (일반 12 NC)

게이트 전하는 MOSFET의 게이트에 적용하여 켜거나 끄기 위해 전하의 양입니다.IRF620은 12 개의 나노 쿨롱 (NC)의 게이트 전하가 상대적으로 낮습니다.게이트 전하가 낮아지면 MOSFET이보다 효율적이고 전력 소비를 줄이면 고속 스위치 응용 프로그램에 이상적입니다.DC-DC 컨버터와 같이 빠른 스위칭이 필요한 회로를 사용하는 경우이 기능을 사용하면 MOSFET 제어에 사용되는 에너지가 적음으로 더 빠른 응답 시간을 달성하는 데 도움이됩니다.

낮은 커패시턴스 (전형적인 10 pf)

IRF620의 입력 커패시턴스는 10 개의 피코 라드 (PF)입니다.MOSFET의 커패시턴스는 얼마나 빨리 켜지거나 끄는 지에 영향을 미치고 커패시턴스가 낮을수록 MOSFET이 더 빨라질 수 있습니다.이 낮은 커패시턴스는 빠른 전환이 필요한 고주파 회로에서 IRF620을 매우 효율적으로 만드는 데 도움이됩니다.빠르고 안정적인 전환이 필요한 회로를 설계하는 경우이 기능을 사용하면 특히 오디오 증폭기 또는 산업 제어 시스템과 같은 응용 프로그램에서 더 나은 성능을 보장합니다.

빠른 스위칭 성능

낮은 게이트 전하와 낮은 커패시턴스의 조합으로 IRF620은 매우 빠르게 켜지거나 꺼질 수 있습니다.이를 통해 모터 제어, 전력 변환기 및 오디오 증폭기와 같이 빈번한 스위칭이 필요한 고속 응용 분야에 탁월한 선택이됩니다.더 빠른 스위칭은 시스템의 효율성을 향상시키고 스위칭 손실을 줄여 설계를보다 효율적으로 만듭니다.

눈사태는 안전성을 테스트했습니다

IRF620은 눈사태 테스트를 거쳐 손상되지 않고 갑작스런 에너지 스파이크를 안전하게 처리 할 수 ​​있도록했습니다.유도 부하가 모터 드라이버 또는 전원 공급 장치 회로와 같은 전압 서지를 유발할 수있는 회로에서 이것은 중요한 기능입니다.그것은 MOSFET에 디자인에서 더 나은 신뢰성과 수명을 제공하지 않고 이러한 서지를 처리 ​​할 수있는 능력을 제공합니다.

전압 변화를위한 DV/DT 기능

이 MOSFET은 DV/DT로 알려진 시간이 지남에 따라 전압의 빠른 변화를 처리하도록 제작되었습니다.이는 장치에 손상을 일으키거나 성능에 영향을 미치지 않으면 서 빠른 전압 변동에 대처할 수 있음을 의미합니다.고주파 스위칭 시스템과 같이 전압 변화가 자주 발생하는 설계를 작업하는 경우이 기능은 도전적인 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다.

유형 지정자 : IRF620

유형 지정자 "IRF620"은이 특정 MOSFET의 공식 식별자입니다.기술 사양, 데이터 시트 또는 교체 부품을 검색 할 때 유용합니다.명확한 유형 지정자가 있으면 프로젝트의 관련 정보 또는 호환 구성 요소를 쉽게 찾을 수 있습니다.

트랜지스터 유형 : MOSFET

IRF620은 전기 신호를 전환하고 증폭시키는 데 사용되는 일반적인 유형의 트랜지스터 인 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)입니다.MOSFET은 고효율, 빠른 스위칭을 제공하며 대량의 전력을 처리 할 수 ​​있기 때문에 널리 사용되므로 많은 전자 설계에서 다양한 구성 요소가됩니다.

제어 채널 : n 채널

이 MOSFET은 N 채널 설계를 사용하므로 전자를 1 차 전하 운반체로 사용합니다.N- 채널 MOSFET은 일반적으로 P 채널 MOSFET에 비해 저항력이 낮고 더 빠른 전환 측면에서 더 나은 성능을 갖습니다.효율적이고 고속 스위칭이 필요한 회로를 구축하는 경우 IRF620의 N- 채널 구성으로 인해 확실한 선택이됩니다.이 기능을 사용하면 모터 제어 시스템, 전원 공급 장치 및 기타 고속 스위치 응용 프로그램에 사용하기에 적합합니다.

IRF620 MOSFET의 일반적인 응용

고전류 응용 프로그램

IRF620은 다량의 전류를 처리하도록 만들어졌으며, 높은 전력을 다루는 회로에 적합합니다.전동 공구, 산업 기계 및 자동차 시스템과 같은 장치에서 최대 6A를 관리 할 수 ​​있기 때문에 잘 작동합니다.

빠른 스위칭 응용 프로그램

빠른 응답 덕분에 IRF620은 빠른 온 및 오프 전력 제어가 필요한 상황에 이상적입니다.이를 통해 전원 공급 장치, DC-DC 컨버터 및 모터 컨트롤러에 적합한 선택이됩니다. 전력 흐름 관리가 효율적으로 우선 순위입니다.

무정전 전원 공급 장치 (UPS) 시스템

UPS 설정에서 IRF620은 배터리 전원과 기본 전원 간의 스위치를 관리하여 중단 중에 시스템이 켜져 있는지 확인합니다.높은 전류와 스위치를 처리하는 기능은 이러한 시스템에서 잘 작동합니다.

모터 제어 시스템

IRF620은 속도와 토크를 조정하여 모터를 제어하는 ​​시스템에서 사용됩니다.전원을 켜고 빠르게 전환하면 전기 자동차, 펌프 및 모터에 의존하는 기타 장비의 모터 성능을 향상시키는 데 도움이됩니다.

오디오 증폭기

오디오 시스템에서 IRF620은 사운드 신호를 증폭시키면서 명확하고 분리되지 않은 상태로 유지하는 데 도움이됩니다.전력을 전환하는 능력은 출력이 강력하고 매끄럽게되도록하여 전반적인 음질을 향상시킵니다.

산업용 액추에이터

자동화 된 기계에서 IRF620은 기계적 작업을 수행하는 모터 및 장치에 대한 전원을 제어합니다.신뢰할 수있는 전력 스위칭을 제공하여 이러한 시스템이 원활하게 작동하여 공장 및 생산 라인에 유용합니다.

IRF620 동등한 MOSFET 및 교체

IRF620PBF를 다음으로 교체 할 수 있습니다.

• IRF620

• IRF630

• IRF630PBF

• IRF634

• IRF640

• IRF640PBF

• IRF644

• IRF740

• IRF740A

• IRF740B

• IRF740LC

• IRFB13N50A

• IRFB17N50L

• IRFB9N60A

IRF620 치수 및 기계 설계

IIRF620 제조업체 : Stmicroelectronics

IRF620은 전 세계적으로 고품질 반도체 제품을 만드는 전문 지식으로 인정받은 회사 인 STMICROELECTRONICS에서 제작했습니다.Stmicroelectronics는 일상적인 전자 장치에서보다 고급 기술에 이르기까지 많은 산업 분야에서 신뢰할 수있는 솔루션을 제공하는 것으로 유명합니다.IRF620과 마찬가지로 그들의 제품은 오늘날의 전자 장치에서 점점 더 필요한 전력을 효율적으로 관리하도록 설계되었습니다.

Stmicroelectronics의 초점은 디지털 세계의 증가하는 요구를 충족시키기 위해 혁신과 발전 기술에 중점을 둡니다.그들은 에너지 관리, 전력 효율성 및 고성능 시스템에서 역할을하는 광범위한 제품을 개발했습니다.신뢰할 수있는 제품을 만들 겠다는 약속은 IRF620 MOSFET과 같은 솔루션이 현대적인 전자 설계에 필요한 신뢰성과 효율성을 제공 할 수 있도록합니다.

데이터 시트 PDF

IRF620 데이터 시트

IRF620.PDF

자주 묻는 질문 [FAQ]

1. IRF620은 무엇에 사용됩니까?

IRF620은 6A, 200V N- 채널 전력 MOSFET입니다.전력 관리를 위해 다양한 전자 시스템에서 사용됩니다.이 향상 모드 트랜지스터는 포지티브 전압이 게이트 단자에 적용될 때 켜집니다.Fairchild의 DMOS 기술로 제작 된이 제품은 국가 저항을 낮추는 데 도움이되며 에너지 효율이 향상됩니다.IRF620은 또한 고 에너지 펄스를 처리하도록 설계되어 DC/DC 컨버터 및 전원 공급 장치와 같은 응용 프로그램에 적합합니다.

2. IRF620의 전류는 무엇입니까?

IRF620은 전압 등급의 200V로 최대 6A의 연속 전류를 처리 할 수 ​​있습니다.모터 제어 시스템 및 무정전 전원 공급 장치와 같은 고전류 및 전압이 필요한 고전력 애플리케이션에 적합합니다.