내년에 글로벌 웨이퍼 장비 지출이 급증 할 것입니다.Semi는 향후 3 년 동안 4 천억 달러를 소비 할 것으로 추정합니다.
국제 반도체 산업 협회 (Semi)는 반도체 제조업체가 2025 년에서 2027 년 사이에 12 인치 웨이퍼 열 제조 장비에 4 천억 달러를 소비하여 새로운 기록을 세우고 본토 China은 가장 많이 지출 한 후 한국, 대만 3 위를 기록 할 것이라고 추정했다.
반도체 웨이퍼 팹의 지역 개발 외에도, 데이터 센터 및 에지 장치에서 AI 칩에 대한 강력한 수요는 지속적인 비용의 성장을 주도하고 있습니다.
26 일, Semi는 12 인치 웨이퍼 팹에 대한 글로벌 장비 지출이 올해 4% 증가한 9,93 억 달러, 2025 년에 24% 증가한 1,242 억 달러로 1,000 억 달러를 겪을 것으로 예상되는 보고서를 발표했습니다.시간.2026 년에는 11% 증가한 1,362 억 달러, 2027 년에는 3%가 140 억 달러에이를 것으로 예상됩니다.2025 년에서 2027 년 사이에 총 지출은 4 천억 달러를 초과 할 것입니다.
중국 본토는 향후 3 년간 미화 1,000 억 달러 이상을 투자 할 것으로 예상되며, 이는 여전히 세계에서 12 인치 웨이퍼 공장 장비의 수출국이 될 것입니다.그러나이 보고서는 또한 중국 본토의 지출이 올해 미화 450 억 달러에서 2027 년에 310 억 달러로 점차 감소 할 것이라고 밝혔다.
한국은 동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM), 높은 대역폭 메모리 (HBM) 및 3D 스토리지 플래시 메모리 (NAND Flash)를 포함하여 메모리 산업에서 지배적 인 위치를 통합하기 위해 향후 3 년간 총 810 억 달러를 소비 할 것입니다.순위 2 위.
향후 3 년간 12 인치 웨이퍼 팹에 대한 대만의 장비 지출은 750 억 달러로 3 위를 차지할 것입니다.
법률 담당자는 TSMC (2330)가 주요 엔진이 비용을 증가시킬 것이며 내년에 TSMC의 자본 지출은 올해에 비해 증가 할 것으로 예상되며, 이는 지난 몇 년 동안 두 번째로 높은 것으로 예상됩니다.
올해 7 월의 법적 브리핑에서 TSMC는 올해의 낮은 자본 지출을 약간 높이 었으며, 이는 주로 고객 수요를 지원하기 위해 30 ~ 320 억 달러로 추정되었습니다.자본 지출 예측 범위는 원래 28 달러에서 320 억 달러에서 $ 30 ~ 320 억 범위에서 약간 수렴되었습니다.
관련 진술은 일반적으로 시장 기대치와 일치하며 TSMC는 높은 벤치 마크를 제기하지 않았지만 낮은 벤치 마크를 위로 올렸습니다.
최근 시장에서 TSMC의 자본 지출이 2025 년에 고급 프로세스에 대한 예상 수요보다 높고 2 나노 미터 고객 기반에 대한 예약 생산 능력보다 높은 연간 성장을 재개 할 것이라는보고가있었습니다.TSMC는 2 나노 미터와 같은 고급 프로세스에서 연구 개발 노력을 계속 증가시키는 것으로보고되었습니다.2 나노 미터에 대한 수요는 기대치를 초과했으며, 생산 능력 계획은 대만 남부로 수입된다는 소문이 있습니다.2025 년 TSMC의 자본 지출은 역사상 2 위를 차지한 320 억 달러에서 360 억 달러 범위에 도달 할 수 있으며, 연간 12.5%에서 14.3% 증가했습니다.ASML 및 응용 재료는이 파도의 승자이며 대만 관련 협력 공장도 혜택을 받고 있습니다.
26 일, Semi는 12 인치 웨이퍼 팹에 대한 글로벌 장비 지출이 올해 4% 증가한 9,93 억 달러, 2025 년에 24% 증가한 1,242 억 달러로 1,000 억 달러를 겪을 것으로 예상되는 보고서를 발표했습니다.시간.2026 년에는 11% 증가한 1,362 억 달러, 2027 년에는 3%가 140 억 달러에이를 것으로 예상됩니다.2025 년에서 2027 년 사이에 총 지출은 4 천억 달러를 초과 할 것입니다.
중국 본토는 향후 3 년간 미화 1,000 억 달러 이상을 투자 할 것으로 예상되며, 이는 여전히 세계에서 12 인치 웨이퍼 공장 장비의 수출국이 될 것입니다.그러나이 보고서는 또한 중국 본토의 지출이 올해 미화 450 억 달러에서 2027 년에 310 억 달러로 점차 감소 할 것이라고 밝혔다.
한국은 동적 랜덤 액세스 메모리 (DRAM), 높은 대역폭 메모리 (HBM) 및 3D 스토리지 플래시 메모리 (NAND Flash)를 포함하여 메모리 산업에서 지배적 인 위치를 통합하기 위해 향후 3 년간 총 810 억 달러를 소비 할 것입니다.순위 2 위.
향후 3 년간 12 인치 웨이퍼 팹에 대한 대만의 장비 지출은 750 억 달러로 3 위를 차지할 것입니다.
법률 담당자는 TSMC (2330)가 주요 엔진이 비용을 증가시킬 것이며 내년에 TSMC의 자본 지출은 올해에 비해 증가 할 것으로 예상되며, 이는 지난 몇 년 동안 두 번째로 높은 것으로 예상됩니다.
올해 7 월의 법적 브리핑에서 TSMC는 올해의 낮은 자본 지출을 약간 높이 었으며, 이는 주로 고객 수요를 지원하기 위해 30 ~ 320 억 달러로 추정되었습니다.자본 지출 예측 범위는 원래 28 달러에서 320 억 달러에서 $ 30 ~ 320 억 범위에서 약간 수렴되었습니다.
관련 진술은 일반적으로 시장 기대치와 일치하며 TSMC는 높은 벤치 마크를 제기하지 않았지만 낮은 벤치 마크를 위로 올렸습니다.
최근 시장에서 TSMC의 자본 지출이 2025 년에 고급 프로세스에 대한 예상 수요보다 높고 2 나노 미터 고객 기반에 대한 예약 생산 능력보다 높은 연간 성장을 재개 할 것이라는보고가있었습니다.TSMC는 2 나노 미터와 같은 고급 프로세스에서 연구 개발 노력을 계속 증가시키는 것으로보고되었습니다.2 나노 미터에 대한 수요는 기대치를 초과했으며, 생산 능력 계획은 대만 남부로 수입된다는 소문이 있습니다.2025 년 TSMC의 자본 지출은 역사상 2 위를 차지한 320 억 달러에서 360 억 달러 범위에 도달 할 수 있으며, 연간 12.5%에서 14.3% 증가했습니다.ASML 및 응용 재료는이 파도의 승자이며 대만 관련 협력 공장도 혜택을 받고 있습니다.