FCP104N60 기술 사양
onsemi - FCP104N60 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FCP104N60과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | SuperFET® II | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 104mOhm @ 18.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 357W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4165 pF @ 380 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 37A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FCP104 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FCP104N60와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FCP104N60 | FCP104N60F | FCP110N65F | FCP11N60F |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4165 pF @ 380 V | 6130 pF @ 25 V | 4895 pF @ 100 V | 1490 pF @ 25 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| 연속 | SuperFET® II | HiPerFET™, Polar™ | FRFET®, SuperFET® II | SuperFET™ |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 전력 소비 (최대) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 357W (Tc) | 125W (Tc) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 3.5mA | 5V @ 250µA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 37A (Tc) | 37A (Tc) | 35A (Tc) | 11A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 104mOhm @ 18.5A, 10V | 110mOhm @ 17.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 기본 제품 번호 | FCP104 | FCP104 | FCP110 | FCP11 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FCP104N60 - onsemi에 대한 FCP104N60 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FCP104N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP110N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 35A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP067N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO220
FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP099N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3FCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP099N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
FCP-102TDK CorporationIGBT ModuleFCP-101TDK CorporationIGBT ModuleFCP11N60onsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP104N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP099N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 37A TO220-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.