FCP170N60 기술 사양
onsemi - FCP170N60 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FCP170N60과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | SuperFET® II | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 170mOhm @ 11A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 227W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2860 pF @ 380 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FCP170 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FCP170N60와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FCP170N60 | FCP190N60E | FCP190N60 | FCP16N60N |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 전력 소비 (최대) | 227W (Tc) | 208W (Tc) | 208W (Tc) | 134.4W (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 패키지 | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Tc) | 20.6A (Tc) | 20.2A (Tc) | 16A (Tc) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2860 pF @ 380 V | 3175 pF @ 25 V | 2950 pF @ 25 V | 2170 pF @ 100 V |
| 연속 | SuperFET® II | SuperFET® II | SuperFET® II | SupreMOS™ |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V | 52.3 nC @ 10 V |
| 기본 제품 번호 | FCP170 | - | FCP190 | FCP16 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 170mOhm @ 11A, 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | 199mOhm @ 10A, 10V | 199mOhm @ 8A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
FCP170N60 - onsemi에 대한 FCP170N60 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FCP190N60EonsemiPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEFCP190N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3FCP16N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220-3FCP165N65S3R0onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
FCP190N60-GF102Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3FCP16N60onsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220-3FCP165N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 23A TO220FCP16N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP16N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP190N60 MOSFairchild (onsemi)FCP190N60_GF102Fairchild (onsemi)FCP190N60FFairchild (onsemi)FCP165N65S3R0Fairchild SemiconductorFCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-FCP170N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 22A TO220-3FCP150N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP190N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3FCP190N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FCP190N60-GF102onsemiMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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