FCPF190N60E 기술 사양
onsemi - FCPF190N60E 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FCPF190N60E과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 연속 | SuperFET® II | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190mOhm @ 10A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 39W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3175 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.6A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FCPF190 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FCPF190N60E와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FCPF190N60E | FCPF165N65S3R0L | FCPF20N60 | FCPF190N65FL1 |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190mOhm @ 10A, 10V | 165mOhm @ 9.5A, 10V | 190mOhm @ 10A, 10V | 190mOhm @ 10A, 10V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 650 V | 600 V | 650 V |
| 전력 소비 (최대) | 39W (Tc) | 35W (Tc) | 39W (Tc) | 39W (Tc) |
| 기본 제품 번호 | FCPF190 | FCPF165 | FCPF20 | FCPF190 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20.6A (Tc) | 19A (Tc) | 20A (Tc) | 20.6A (Tc) |
| 연속 | SuperFET® II | SuperFET® III | SuperFET™ | SuperFET® II |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA | 4.5V @ 1.9mA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| Vgs (최대) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3175 pF @ 25 V | 1415 pF @ 400 V | 3080 pF @ 25 V | 3055 pF @ 100 V |
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FCPF165N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
FCPF190N65FFairchild (onsemi)FCPF20N60 MOSFairchild (onsemi)FCPF20N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF190N65FL1onsemiMOSFET N-CH 650V 20.6A TO220FFCPF20N60SFairchild (onsemi)FCPF165N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF16N60NTFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCPF190N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20.2A TO220FFCPF20N60FSonsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF16N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220FFCPF16N60 MOSFairchild (onsemi)FCPF190N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
FCPF190N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3FCPF165N65S3R0LFairchild SemiconductorFCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,FCPF165N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3FCPF190N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF16N60onsemiMOSFET N-CH 600V 16A TO220F| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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