FCPF220N80 기술 사양
onsemi - FCPF220N80 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FCPF220N80과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 2.3mA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 연속 | SuperFET® II | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 220mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 44W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4560 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FCPF220 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FCPF220N80와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FCPF220N80 | FCPF21N60NT | FCPF190N65S3L1 | FCPF22N60NT |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 기본 제품 번호 | FCPF220 | FCPF21 | FCPF190 | FCPF22 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 220mOhm @ 11.5A, 10V | - | 190mOhm @ 7A, 10V | 165mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (최대) | ±20V | - | ±30V | ±45V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 전력 소비 (최대) | 44W (Tc) | - | 33W (Tc) | 39W (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 2.3mA | - | 4.5V @ 1.4mA | 4V @ 250µA |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 105 nC @ 10 V | - | 30 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 연속 | SuperFET® II | - | SuperFET® III | SupreMOS™ |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) | - | 14A (Tc) | 22A (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V | 600 V | 650 V | 600 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4560 pF @ 100 V | - | 1225 pF @ 400 V | 1950 pF @ 100 V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
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FCPF21N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 21A TO-220FFCPF190N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FCPF22N60NT MOSFairchild (onsemi)FCPF20N60SFairchild (onsemi)FCPF20N60 MOSFairchild (onsemi)FCPF22N60NTonsemiMOSFET N-CH 600V 22A TO220FFCPF250N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3FCPF250N65S3L1onsemiMOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3FCPF2250N80ZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.6A TO220FFCPF220N80Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTORFCPF2250N80Fairchild (onsemi)
FCPF190N65S3R0LonsemiMOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3FCPF20N60FSonsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF2250N80ZonsemiMOSFET N-CH 800V 2.6A TO220FFCPF250N65S3AMI Semiconductor/onsemiFCPF20N60onsemiMOSFET N-CH 600V 20A TO220FFCPF21N60NTFairchild Semiconductor1-ELEMENT, N-CHANNELFCPF250N65S3ROAMI Semiconductor/onsemi| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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