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FDA15N65 - onsemi
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- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 650V 16A TO3PN
- 포장
- TO-3P-3, SC-65-3
- 데이터 시트
- FDA15N65.pdf
- 우리의 인증
- 유품: 5280
FDA15N65 기술 사양
onsemi - FDA15N65 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDA15N65과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 연속 | UniFET™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 440mOhm @ 8A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 260W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3095 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FDA15 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDA15N65와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDA15N65 | FDA18N50 | FDA15N65 | FDA16N50 |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 패키지 | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 기본 제품 번호 | FDA15 | - | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 440mOhm @ 8A, 10V | 265mOhm @ 9.5A, 10V | 440mOhm @ 8A, 10V | 380mOhm @ 8.3A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3095 pF @ 25 V | 2860 pF @ 25 V | 3095 pF @ 25 V | 1945 pF @ 25 V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 연속 | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 500 V | 650 V | 500 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Tc) | 19A (Tc) | 16A (Tc) | 16.5A (Tc) |
| 전력 소비 (최대) | 260W (Tc) | 239W (Tc) | 260W (Tc) | 205W (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
FDA15N65 - onsemi에 대한 FDA15N65 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FDA1254-H-4R7MP3Murata ElectronicsFDA18N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDA1254-5R6MP3Murata ElectronicsFDA1254-1R2MP3Murata ElectronicsFDA15N65Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 16A TO3PNFDA1055-H-2R2MP3Murata ElectronicsFDA1055-4R7MP3Murata ElectronicsFDA1254-H-2R2MP3Murata ElectronicsFDA16N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA16N50_F109Fairchild (onsemi)FDA1254-8R0MP3Murata ElectronicsFDA18N50 MOSFairchild (onsemi)
FDA16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA1254-1R0MP3Murata ElectronicsFDA16N50LDTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDA18N50onsemiMOSFET N-CH 500V 19A TO3PNFDA16N50LDTUonsemiMOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PNFDA20N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 22A TO3PN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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