FDB28N30TM 기술 사양
onsemi - FDB28N30TM 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDB28N30TM과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | onsemi | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±30V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) | |
연속 | UniFET™ | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 129mOhm @ 14A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2250 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 300 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | |
기본 제품 번호 | FDB28N30 |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDB28N30TM와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | FDB28N30TM | FDB3502 | FDB28N30TM | FDB33N25TM |
제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
기본 제품 번호 | FDB28N30 | - | - | - |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 129mOhm @ 14A, 10V | 47mOhm @ 6A, 10V | 129mOhm @ 14A, 10V | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263) |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | 6A (Ta), 14A (Tc) | 28A (Tc) | 33A (Tc) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 300 V | 75 V | 300 V | 250 V |
FET 특징 | - | - | - | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | 3.1W (Ta), 41W (Tc) | 250W (Tc) | 235W (Tc) |
연속 | UniFET™ | PowerTrench® | UniFET™ | UniFET™ |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
Vgs (최대) | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2250 pF @ 25 V | 815 pF @ 40 V | 2250 pF @ 25 V | 2135 pF @ 25 V |
FDB28N30TM - onsemi에 대한 FDB28N30TM PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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