FDD3510H 기술 사양
onsemi - FDD3510H 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDD3510H과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252 (DPAK) | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80mOhm @ 4.3A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 40V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.3A, 2.8A | |
| 구성 | N and P-Channel, Common Drain | |
| 기본 제품 번호 | FDD3510 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDD3510H와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDD3510H | FDD26AN06AO | FDD26AN06A0 | FDD3670 |
| 제조사 | onsemi | Fairchild (onsemi) | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 기본 제품 번호 | FDD3510 | - | FDD26 | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80mOhm @ 4.3A, 10V | - | 26mOhm @ 36A, 10V | 32mOhm @ 7.3A, 10V |
| 구성 | N and P-Channel, Common Drain | - | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | Logic Level Gate | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252 (DPAK) | - | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V | - | 17 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| 전력 - 최대 | 1.3W | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V | - | 60 V | 100 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.3A, 2.8A | - | 7A (Ta), 36A (Tc) | 34A (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 실장 형 | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 40V | - | 800 pF @ 25 V | 2490 pF @ 50 V |
| 연속 | PowerTrench® | - | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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FDD26AN06AOFairchild (onsemi)FDD26AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD3670Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD26AN06A0-F085ONsemiFDD3570Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD3580Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 7.7A DPAKFDD3510H MOSFairchild (onsemi)FDD3570onsemiMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD3570 MOSFairchild (onsemi)FDD3580onsemiMOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAKFDD306P MOSFairchild (onsemi)FDD26AN06_F085Fairchild (onsemi)FDD3580 MOSFairchild (onsemi)FDD306PonsemiMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252FDD2741BFairchild (onsemi)FDD2N80Fairchild (onsemi)FDD3670onsemiMOSFET N-CH 100V 34A TO252| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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