FDD86567-F085 기술 사양
onsemi - FDD86567-F085 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDD86567-F085과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 80A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 227W (Tj) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4950 pF @ 30 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FDD86567 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDD86567-F085와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDD86567-F085 | FDD86380-F085 | FDD86581-F085 | FDD86580-F085 |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | TO-252AA | D-PAK (TO-252) | TO-252AA |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 기본 제품 번호 | FDD86567 | FDD86380 | FDD86581 | FDD86580 |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 80A, 10V | 13.5mOhm @ 50A, 10V | 15mOhm @ 25A, 10V | 19mOhm @ 50A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4950 pF @ 30 V | 1440 pF @ 40 V | 880 pF @ 30 V | 1430 pF @ 30 V |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | - | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.2V @ 250µA |
| 전력 소비 (최대) | 227W (Tj) | 75W (Tj) | 48.4W (Tj) | 75W (Tj) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) | 50A (Tc) | 25A (Tc) | 50A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 80 V | 60 V | 60 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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FDD86380-F085onsemiMOSFET N-CH 80V 50A DPAKFDD86581-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 25A DPAKFDD86580-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 50A DPAK
FDD86580Fairchild (onsemi)FDD86567Fairchild (onsemi)FDD8750onsemiMOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAKFDD86581Fairchild (onsemi)FDD8647LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDD86580_F085FSCFDD86569Fairchild (onsemi)FDD8647L MOSFairchild (onsemi)FDD8647LonsemiMOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAKFDD86581-F85
FDD86540-F085ONsemiFDD86381-F085onsemiMOSFET N-CH 80V 25A DPAKFDD86381Fairchild (onsemi)FDD86569-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 90A DPAKFDD86540onsemiMOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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