FDG332PZ 기술 사양
onsemi - FDG332PZ 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDG332PZ과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±8V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88 (SC-70-6) | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 95mOhm @ 2.6A, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 750mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 560 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.8 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | FDG332 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDG332PZ와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDG332PZ | FDG328P | FDG410NZ | FDG361N |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 기본 제품 번호 | FDG332 | FDG328 | FDG410 | FDG361 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10.8 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V | 7.2 nC @ 4.5 V | 5 nC @ 10 V |
| 연속 | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 750mW (Ta) | 750mW (Ta) | 420mW (Ta) | 420mW (Ta) |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) | SC-88 (SC-70-6) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A (Ta) | 1.5A (Ta) | 2.2A (Ta) | 600mA (Ta) |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (최대) | ±8V | ±12V | ±8V | ±20V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 95mOhm @ 2.6A, 4.5V | 145mOhm @ 1.5A, 4.5V | 70mOhm @ 2.2A, 4.5V | 500mOhm @ 600mA, 10V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 100 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 6V, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 560 pF @ 10 V | 337 pF @ 10 V | 535 pF @ 10 V | 153 pF @ 50 V |
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FDG328PonsemiMOSFET P-CH 20V 1.5A SC88
FDG330P MOSFairchild (onsemi)FDG410NZonsemiMOSFET N-CH 20V 2.2A SC88FDG328P MOSFairchild (onsemi)FDG361NonsemiMOSFET N-CH 100V 600MA SC88FDG361N MOSFairchild (onsemi)FDG6301N MOSFairchild (onsemi)FDG328P-NLFairchild (onsemi)FDG410NZ MOSFairchild (onsemi)FDG329NonsemiMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88FDG361NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 600MA SC88FDG6301NonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG6301GFairchild (onsemi)FDG329NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 1.5A SC88FDG329N MOSFairchild (onsemi)
FDG6301SK
FDG330PonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDG330PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 12V 2A SC88| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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