FDMS3660AS 기술 사양
onsemi - FDMS3660AS 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDMS3660AS과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.7V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | Power56 | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8mOhm @ 13A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2230pF @ 15V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A, 30A | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | FDMS3660 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDMS3660AS와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDMS3660AS | FDMS3664S | FDMS3624S | FDMS3664S |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2230pF @ 15V | 1765pF @ 15V | - | 1765pF @ 15V |
| 제조업체 장치 패키지 | Power56 | 8-PQFN (5x6) | - | Power56 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 기본 제품 번호 | FDMS3660 | FDMS3664 | FDMS3624 | FDMS3664 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - | 8-PowerTDFN |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V | 29nC @ 10V | - | 29nC @ 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A, 30A | 13A, 25A | - | 13A, 25A |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | - | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.7V @ 250µA | 2.7V @ 250µA | - | 2.7V @ 250µA |
| 전력 - 최대 | 1W | 1W | - | 1W |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 30V | - | 30V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| 연속 | PowerTrench® | PowerTrench® | * | PowerTrench® |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8mOhm @ 13A, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | - | 8mOhm @ 13A, 10V |
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FDMS3664SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3624SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFNFDMS3627SFairchild (onsemi)FDMS3662Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDMS3664SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 13A/25A POWER56FDMS3660SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56FDMS3662onsemiMOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFNFDMS3620SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFNFDMS3629SFairchild (onsemi)FDMS3660S MOSFairchild (onsemi)FDMS3625SFairchild (onsemi)FDMS3626SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3664NEOTECFDMS3660SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3622SonsemiMOSFET 2N-CH 25V 17.5/34A PWR56FDMS3622SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMS3662 MOSFairchild (onsemi)FDMS3624SFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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