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FDZ208P - onsemi
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- MOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGA
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- 30-WFBGA
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FDZ208P 기술 사양
onsemi - FDZ208P 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FDZ208P과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±25V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 30-BGA (4x3.5) | |
| 연속 | PowerTrench® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.2W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 30-WFBGA | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2409 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12.5A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | FDZ20 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FDZ208P와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDZ208P | FDZ208P | FDZ206P | FDZ204P |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V | 10.5mOhm @ 12.5A, 10V | 9.5mOhm @ 13A, 4.5V | 45mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (최대) | ±25V | ±25V | ±12V | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2409 pF @ 15 V | 2409 pF @ 15 V | 4280 pF @ 10 V | 884 pF @ 10 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12.5A (Ta) | 12.5A (Ta) | 13A (Ta) | 4.5A (Ta) |
| 전력 소비 (최대) | 2.2W (Ta) | 2.2W (Ta) | 2.2W (Ta) | 1.8W (Ta) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V | 53 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V |
| 기본 제품 번호 | FDZ20 | - | FDZ20 | FDZ20 |
| 패키지 / 케이스 | 30-WFBGA | 30-WFBGA | 30-WFBGA | 9-WFBGA |
| 연속 | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | 30-BGA (4x3.5) | 30-BGA (4x3.5) | 30-BGA (4x3.5) | 9-BGA (2x2.1) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
FDZ208P - onsemi에 대한 FDZ208P PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FDZ208PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 12.5A 30BGAFDZ206P MOSFairchild (onsemi)FDZ2553NFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDZ206PonsemiMOSFET P-CH 20V 13A 30BGAFDZ203N MOSFairchild (onsemi)FDZ204PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGAFDZ291P MOSFairchild (onsemi)FDZ2554PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGAFDZ2554PFairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFETFDZ206P_NL BGA30Fairchild (onsemi)FDZ2553NZFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDZ2553NonsemiMOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGAFDZ204PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 4.5A 9BGAFDZ206PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 13A 30BGAFDZ291PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGAFDZ2554P MOSFairchild (onsemi)FDZ204P MOSFairchild (onsemi)FDZ2553NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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