FGA30N65SMD 기술 사양
onsemi - FGA30N65SMD 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FGA30N65SMD과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650 V | |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.5V @ 15V, 30A | |
| 시험 조건 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 14ns/102ns | |
| 에너지 전환 | 716µJ (on), 208µJ (off) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 연속 | - | |
| 역 회복 시간 (trr) | 35 ns | |
| 전력 - 최대 | 300 W |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 패키지 | Tube | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 유형 | Standard | |
| IGBT 유형 | Field Stop | |
| 게이트 충전 | 87 nC | |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 90 A | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 60 A | |
| 기본 제품 번호 | FGA30N65 |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FGA30N65SMD와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FGA30N65SMD | FGA30N65SMD | FGA30N60LSDTU | FGA30N60LSDTU |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 역 회복 시간 (trr) | 35 ns | 35 ns | 35 ns | 35 ns |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.5V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A | 1.4V @ 15V, 30A |
| IGBT 유형 | Field Stop | Field Stop | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| 입력 유형 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 14ns/102ns | 14ns/102ns | 18ns/250ns | 18ns/250ns |
| 패키지 | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| 전력 - 최대 | 300 W | 300 W | 480 W | 480 W |
| 에너지 전환 | 716µJ (on), 208µJ (off) | 716µJ (on), 208µJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) | 1.1mJ (on), 21mJ (off) |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 650 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 60 A | 60 A | 60 A | 60 A |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P | TO-3P |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 시험 조건 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | 400V, 30A, 6Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V | 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V |
| 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM) | 90 A | 90 A | 90 A | 90 A |
| 기본 제품 번호 | FGA30N65 | FGA30N65 | FGA30N60 | FGA30N60 |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 게이트 충전 | 87 nC | 87 nC | 225 nC | 225 nC |
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FGA30N65SMDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDTUFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60LSDTUonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PFGA30S120PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA30N60RUFDFairchild (onsemi)FGA40T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA30N120FTDTUonsemiIGBT 1200V 60A 339W TO3PFGA30N60RUFFairchild (onsemi)FGA30N120FTDFairchild (onsemi)FGA30S120PonsemiIGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PNFGA30T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 60A TO3PNFGA4060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PNFGA40N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNFGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 600V, N-CHANNELFGA30N60LSDFairchild (onsemi)FGA40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PFGA4060ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA3060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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