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FQA33N10 - onsemi
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- 부품 설명
- MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
- 포장
- TO-3P-3, SC-65-3
- 데이터 시트
- FQA33N10.pdf
- 우리의 인증
- 유품: 3870
FQA33N10 기술 사양
onsemi - FQA33N10 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQA33N10과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±25V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 52mOhm @ 18A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 163W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQA3 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQA33N10와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQA33N10 | FQA30N40 | FQA28N50F | FQA32N20C |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 연속 | QFET® | QFET® | FRFET® | QFET® |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| 패키지 | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| 전력 소비 (최대) | 163W (Tc) | 290W (Tc) | 310W (Tc) | 204W (Tc) |
| Vgs (최대) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 52mOhm @ 18A, 10V | 140mOhm @ 15A, 10V | 160mOhm @ 14.2A, 10V | 82mOhm @ 16A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) | 30A (Tc) | 28.4A (Tc) | 32A (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 400 V | 500 V | 200 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | 4400 pF @ 25 V | 5600 pF @ 25 V | 2220 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 기본 제품 번호 | FQA3 | - | FQA2 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
FQA33N10 - onsemi에 대한 FQA33N10 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQA30N40Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQA28N50FonsemiMOSFET N-CH 500V 28.4A TO3PFQA32N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQA34N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 34A TO3PFQA35N40Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 35A TO3PFQA32N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 32A TO3PNFQA30N40 MOSFairchild (onsemi)FQA35N40onsemiMOSFET N-CH 400V 35A TO3PFQA38N30onsemiMOSFET N-CH 300V 38.4A TO3PFQA30N40onsemiMOSFET N-CH 400V 30A TO3PNFQA34N25onsemiMOSFET N-CH 250V 34A TO3PFQA33N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 36A TO3PFQA28N50FFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 28.4A TO3PFQA28N50 MOSFairchild (onsemi)
FQA36P15onsemiMOSFET P-CH 150V 36A TO3PNFQA28N50Fairchild Semiconductor28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNELFQA36P15 MOSFairchild (onsemi)FQA34N20onsemiMOSFET N-CH 200V 34A TO3P| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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