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FQP16N15 - onsemi
- 제조사 제품 모델
- FQP16N15
- 제조사
- onsemi
- Allelco 제품 모델
- 32D-FQP16N15
- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
- 포장
- TO-220-3
- 우리의 인증
- 유품: 4130
FQP16N15 기술 사양
onsemi - FQP16N15 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQP16N15과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±25V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 160mOhm @ 8.2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 108W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 910 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16.4A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQP1 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQP16N15와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQP16N15 | FQP14N15 | FQP16N25C-F105 | FQP16N25C |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| 전력 소비 (최대) | 108W (Tc) | 104W (Tc) | - | 139W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 160mOhm @ 8.2A, 10V | 210mOhm @ 7.2A, 10V | - | 270mOhm @ 7.8A, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V | - | 53.5 nC @ 10 V |
| 기본 제품 번호 | FQP1 | FQP1 | - | FQP1 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16.4A (Tc) | 14.4A (Tc) | - | 15.6A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±25V | ±25V | - | ±30V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 150 V | 150 V | - | 250 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| 연속 | QFET® | QFET® | * | QFET® |
| 패키지 | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 910 pF @ 25 V | 715 pF @ 25 V | - | 1080 pF @ 25 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
FQP16N15 - onsemi에 대한 FQP16N15 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQP14N15onsemiMOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3
FQP15N60CFairchild (onsemi)FQP16N25C-F105onsemiFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP16N15 MOSFairchild (onsemi)FQP16N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP16N25C-F105Fairchild SemiconductorFQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TRFQP16N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3FQP14N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP16N25onsemiMOSFET N-CH 250V 16A TO220-3FQP14N30onsemiMOSFET N-CH 300V 14.4A TO220-3
FQP15N50VBSEMIFQP15P12Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3FQP15P12onsemiMOSFET P-CH 120V 15A TO220-3FQP16N25Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP17N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3FQP14N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 14.4A TO220-3FQP16N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3FQP15N25CFairchild (onsemi)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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