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FQP1N60 - onsemi
- 제조사 제품 모델
- FQP1N60
- 제조사
- onsemi
- Allelco 제품 모델
- 32D-FQP1N60
- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 600V 1.2A TO220-3
- 포장
- TO-220-3
- 우리의 인증
- 유품: 4110
FQP1N60 기술 사양
onsemi - FQP1N60 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQP1N60과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.5Ohm @ 600mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 40W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.2A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQP1 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQP1N60와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQP1N60 | FQP19N10L | FQP19N20L | FQP19N20C |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 10V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| 기본 제품 번호 | FQP1 | FQP1 | FQP1 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전력 소비 (최대) | 40W (Tc) | 75W (Tc) | 140W (Tc) | 139W (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 100 V | 200 V | 200 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.5Ohm @ 600mA, 10V | 100mOhm @ 9.5A, 10V | 140mOhm @ 10.5A, 10V | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | 18 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V | 53 nC @ 10 V |
| 연속 | - | QFET® | QFET® | QFET® |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150 pF @ 25 V | 870 pF @ 25 V | 2200 pF @ 25 V | 1080 pF @ 25 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.2A (Tc) | 19A (Tc) | 21A (Tc) | 19A (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
FQP1N60 - onsemi에 대한 FQP1N60 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQP19N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 19A TO220-3FQP19N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3FQP19N20 MOSFairchild (onsemi)FQP19N20CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP20N06LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP19N20ConsemiMOSFET N-CH 200V 19A TO220-3FQP20N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP19N20C MOSFairchild (onsemi)FQP19N20onsemiMOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3FQP20N06TSTUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 20A TO220-3FQP20N60Fairchild (onsemi)FQP20N06onsemiMOSFET N-CH 60V 20A TO220-3FQP1P50onsemiMOSFET P-CH 500V 1.5A TO220-3FQP20N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 21A TO220-3FQP19N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FQP19N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 21A TO220-3FQP20N06 MOSFairchild (onsemi)FQP20N06TSTUonsemiMOSFET N-CH 60V 20A TO220-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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