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FQP9N30 - onsemi
- 제조사 제품 모델
- FQP9N30
- 제조사
- onsemi
- Allelco 제품 모델
- 32D-FQP9N30
- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
- 포장
- TO-220-3
- RoHS 상태
- 우리의 인증
- 유품: 33048
FQP9N30 기술 사양
onsemi - FQP9N30 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQP9N30과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 98W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 750 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 300 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQP9 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQP9N30와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQP9N30 | FQP9N50 | FQP9N90C | FQP9N15 |
| 제조사 | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 450mOhm @ 4.5A, 10V | 730mOhm @ 4.5A, 10V | 1.4Ohm @ 4A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 58 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 연속 | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 기본 제품 번호 | FQP9 | FQP9 | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) | 9A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 전력 소비 (최대) | 98W (Tc) | 147W (Tc) | 205W (Tc) | 75W (Tc) |
| 패키지 | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 750 pF @ 25 V | 1450 pF @ 25 V | 2730 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±25V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 300 V | 500 V | 900 V | 150 V |
FQP9N30 - onsemi에 대한 FQP9N30 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQP9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N08 MOSFairchild (onsemi)FQP9N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQPF1060CFairchild (onsemi)FQP9N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP9N50CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N25C MOSFairchild (onsemi)FQP9N15onsemiMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP9N25Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQP9N30Fairchild SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 9FQP9N60CFairchild (onsemi)FQP9N08onsemiMOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3FQP9N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3FQP9P25onsemiMOSFET P-CH 250V 9.4A TO220-3FQP9N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3FQP9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3FQP9N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 8A TO220-3FQP9N50ConsemiMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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