FQPF4N90CT 기술 사양
onsemi - FQPF4N90CT 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQPF4N90CT과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2Ohm @ 2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 47W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 960 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQPF4 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQPF4N90CT와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQPF4N90CT | FQPF4N90 | FQPF55N10 | FQPF5N20L |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 6.2 nC @ 5 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | 900 V | 100 V | 200 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전력 소비 (최대) | 47W (Tc) | 47W (Tc) | 60W (Tc) | 32W (Tc) |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| 연속 | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 960 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 2730 pF @ 25 V | 325 pF @ 25 V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 | TO-220F-3 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±25V | ±20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) | 2.5A (Tc) | 34.2A (Tc) | 3.5A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 5V, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2Ohm @ 2A, 10V | 3.3Ohm @ 1.25A, 10V | 26mOhm @ 17.1A, 10V | 1.2Ohm @ 1.75A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 기본 제품 번호 | FQPF4 | - | FQPF5 | - |
FQPF4N90CT - onsemi에 대한 FQPF4N90CT PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQPF4N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 2.5A TO220FFQPF55N10onsemiMOSFET N-CH 100V 34.2A TO220FFQPF5N20LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.5A TO220FFQPF4N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.5A TO220FFQPF5N15onsemiMOSFET N-CH 150V 4.2A TO220FFQPF4N80onsemiMOSFET N-CH 800V 2.2A TO220FFQPF5N20onsemiMOSFET N-CH 200V 3.5A TO220FFQPF4N65CFairchild (onsemi)FQPF4N90CTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4A TO220FFQPF4N80CFairchild (onsemi)FQPF4P40onsemiMOSFET P-CH 400V 2.4A TO220FFQPF4N90CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FQPF5N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4.2A TO220FFQPF55N10 MOSFairchild (onsemi)FQPF50N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 32.6A TO220FFQPF4N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.2A TO220FFQPF4N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 4A TO220FFQPF50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 31A TO220F| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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