FQS4901TF 기술 사양
onsemi - FQS4901TF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQS4901TF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 25V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 10V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 400V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 450mA | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | FQS4901 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQS4901TF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQS4901TF | BSO615CGHUMA1 | FQS4903TF | STS4DPF20L |
| 제조사 | onsemi | Infineon Technologies | onsemi | STMicroelectronics |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 400V | 60V | 500V | 20V |
| 기본 제품 번호 | FQS4901 | BSO615 | FQS4903 | STS4D |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 연속 | QFET® | SIPMOS® | QFET® | STripFET™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | 110mOhm @ 3.1A, 10V | 6.2Ohm @ 185mA, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.5nC @ 10V | 22.5nC @ 10V | 8.2nC @ 10V | 16nC @ 5V |
| 전력 - 최대 | 2W | 2W | 2W | 1.6W |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 210pF @ 25V | 380pF @ 25V | 200pF @ 25V | 1350pF @ 25V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 450mA | 3.1A, 2A | 370mA | 4A |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 2V @ 20µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | PG-DSO-8 | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET 특징 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
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BSO615CGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
FQS4900AMI Semiconductor/onsemiFQS4410AMI Semiconductor/onsemiFQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOPSTS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
FQS4903TF MOSFairchild (onsemi)FQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOPFQS4900TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
SH8M11TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
NTMD6N03R2onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
SI4816BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICFQS4410-NLFairchild (onsemi)FQS4900TF MOSFairchild (onsemi)FQS4900TF.Fairchild (onsemi)
IRF5852TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOPFQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0BSO615NGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
SI6966EDQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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