FQU3N60CTU 기술 사양
onsemi - FQU3N60CTU 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - FQU3N60CTU과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | |
| 연속 | QFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.4Ohm @ 1.2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 50W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 565 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.4A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FQU3 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | Not Applicable |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi FQU3N60CTU와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FQU3N60CTU | FQU2N90TU | FQU4N50TU-WS | FQU3N60TU |
| 제조사 | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 565 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V | 460 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 900 V | 500 V | 600 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 연속 | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.4Ohm @ 1.2A, 10V | 7.2Ohm @ 850mA, 10V | 2.7Ohm @ 1.3A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V |
| 기본 제품 번호 | FQU3 | - | FQU4N50 | FQU3 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.4A (Tc) | 1.7A (Tc) | 2.6A (Tc) | 2.4A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 전력 소비 (최대) | 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
FQU3N60CTU - onsemi에 대한 FQU3N60CTU PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
FQU30N06FairchildFQU4N50TU_WSFairchild (onsemi)FQU2N90TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU4N50TU-WSonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFQU3N60TUonsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKFQU30N06LFairchild (onsemi)FQU4N25FSCFQU3N50CTUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQU3N50CTUonsemiMOSFET N-CH 500V 2.5A IPAKFQU4N50TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFQU3N40Fairchild (onsemi)FQU2N90TUonsemiMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU4N20VBSEMIFQU3N60TUFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2.4A IPAKFQU4N50TUonsemiMOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFQU2N90TU-WSonsemiMOSFET N-CH 900V 1.7A IPAKFQU4N50SFSCFQU3N50CFairchild (onsemi)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.