MMFT3055ET1 기술 사양
onsemi - MMFT3055ET1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - MMFT3055ET1과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | onsemi | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | |
연속 | * | |
전력 소비 (최대) | 800mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SOT-223-3 | |
패키지 | Bulk |
제품 속성 | 속성 값 | |
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작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi MMFT3055ET1와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | MMFT3055ET1 | MMFT2N25ET3 | MMFT2N02ELT1 | MMFT3055ELT1G |
제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | AMI Semiconductor/onsemi |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | - | 20 V | - |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A (Tc) | - | 1.6A (Ta) | - |
실장 형 | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
FET 유형 | N-Channel | - | N-Channel | - |
패키지 | Bulk | Bulk | Digi-Reel® | - |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | - | SOT-223 (TO-261) | - |
연속 | * | * | - | - |
전력 소비 (최대) | 800mW (Ta) | - | - | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1 nC @ 10 V | - | 20 nC @ 5 V | - |
패키지 / 케이스 | SOT-223-3 | - | TO-261-4, TO-261AA | - |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | - | - |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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