MVGSF1N03LT1G 기술 사양
onsemi - MVGSF1N03LT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - MVGSF1N03LT1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 1.2A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 420mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | MVGSF1 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi MVGSF1N03LT1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | MVGSF1N03LT1G | SI3475DV-T1-E3 | PJW4P06A_R2_00001 | AOTL42A60 |
| 제조사 | onsemi | Vishay Siliconix | Panjit International Inc. | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 전력 소비 (최대) | 420mW (Ta) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | 3.1W (Ta) | - |
| 연속 | - | TrenchFET® | PJW | - |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) | 6-TSOP | SOT-223 | - |
| FET 유형 | N-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| 기본 제품 번호 | MVGSF1 | SI3475 | PJW4P06 | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140 pF @ 5 V | 500 pF @ 50 V | 785 pF @ 30 V | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TO-261-4, TO-261AA | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 200 V | 60 V | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 1.2A, 10V | 1.61Ohm @ 900mA, 10V | 110mOhm @ 4A, 10V | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) | 950mA (Tc) | 4A (Ta) | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
MVGSF1N03LT1G - onsemi에 대한 MVGSF1N03LT1G PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
SI3475DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOPPJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MAOTL42A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 60V TOLLA
CSD18532KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
IPP60R600C6Infineon Technologies7.3A, 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL MO
AO4437Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 12V 11A 8SOIC
2N6849Microsemi CorporationMOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
NVMFS6B25NLT1GonsemiMOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
IXFN48N50U2IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BMVGSF1N03LT1G MOSAMI Semiconductor/onsemi
NX7002BKWXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323
FDD6630AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2MVGSF1N02LT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
IRFZ46NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
APT29F80JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 31A ISOTOPFDS8874onsemiMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
STP8NK80ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
SI4866DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 11A 8SO| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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