NSB9435T1 기술 사양
onsemi - NSB9435T1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NSB9435T1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 30 V | |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 210mV @ 20mA, 800mA | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 (TO-261) | |
| 연속 | - | |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms | |
| 전력 - 최대 | 3 W |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 패키지 | Bulk | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 주파수 - 전환 | 110 MHz | |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 125 @ 800mA, 1V | |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | - | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 3 A | |
| 기본 제품 번호 | NSB9435 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NSB9435T1와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NSB9435T1 | NSB9435T1G | NSBA114YDXV6T1G | NSBA115EDXV6T1G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | Rochester Electronics, LLC | Rochester Electronics, LLC |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10 kOhms | 10 kOhms | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 125 @ 800mA, 1V | 125 @ 800mA, 1V | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 (TO-261) | SOT-223 (TO-261) | - | - |
| 전력 - 최대 | 3 W | 720 mW | - | - |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 210mV @ 20mA, 800mA | 550mV @ 300mA, 3A | - | - |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 3 A | 3 A | - | - |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 30 V | 30 V | - | - |
| 주파수 - 전환 | 110 MHz | 110 MHz | - | - |
| 연속 | - | - | * | * |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - | - |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | NSB9435 | NSB9435 | - | - |
NSB9435T1 - onsemi에 대한 NSB9435T1 PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
NSBA114YDXV6T1GRochester Electronics, LLCNSBA114YDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNPNSBA115EDXV6T1GRochester Electronics, LLCNSBA115EDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNPNSB9435T1GRochester Electronics, LLCNSB9435 - DIGITAL BJT PNP - PRE-
NSB12ANT3GLittelfuse Inc.TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB
NSBA114EDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSB8ATVIHSAY
NSB8JT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABNSBA115EDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSB455JNG
NSB1706DMW5T1ONsemiNSB9435T1GonsemiTRANS PREBIAS PNP 30V 3MA SOT223
NSB1706DMW5T1GonsemiTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70NSBA114YDXV6T1onsemiTRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563NSB8DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO263ABNSBA114YDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563NSBA114EDXV6T1onsemiSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
NSBA114EDP6T5GonsemiTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSB4904DW1T1GonsemiTRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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