NSVBC114EPDXV6T1G 기술 사양
onsemi - NSVBC114EPDXV6T1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NSVBC114EPDXV6T1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-563 | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10kOhms | |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10kOhms | |
| 전력 - 최대 | 500mW |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 주파수 - 전환 | - | |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 35 @ 5mA, 10V | |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA | |
| 기본 제품 번호 | NSVBC114 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NSVBC114EPDXV6T1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NSVBC114EPDXV6T1G | NSVBC114EDXV6T1G | NSVBC143ZPDXV6T5G | NSVBC114YDXV6T1G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| 저항기 -베이스 (R1) | 10kOhms | 10kOhms | 4.7kOhms | 10kOhms |
| IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 100mA | 100mA | 100mA | 100mA |
| 저항기 - 이미 터베이스 (R2) | 10kOhms | 10kOhms | 47kOhms | 47kOhms |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | 35 @ 5mA, 10V | 35 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V | 80 @ 5mA, 10V |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| 주파수 - 전환 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | NSVBC114 | NSVBC114 | NSVBC143 | NSVBC114 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 500nA | 500nA | 500nA | 500nA |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전력 - 최대 | 500mW | 500mW | 500mW | 500mW |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | - | Automotive, AEC-Q101 | - |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 | SOT-563 |
NSVBC114EPDXV6T1G - onsemi에 대한 NSVBC114EPDXV6T1G PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
NSVBC817-40WT1GonsemiTRANS NPN 45V 0.5A SC70-3
NSVBC817-16LT1GonsemiTRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3NSVBC114EDXV6T1GonsemiTRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563NSVBAV23CLT1GonsemiDIODE ARRAY GP 250V 400MA SOT23
NSVBAV70TT3GonsemiDIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75NSVBAV70TT1GonsemiDIODE ARRAY SW 100V 100MA SC75
NSVBAT54M3T5GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT723NSVBAT54SWT1GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323NSVBC818-40LT1GonsemiTRANS NPN 25V 0.5A SOT23-3NSVBAT54WT1GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70-3NSVBAV99WT3GonsemiDIODE ARRAY GP 99V 200MA SC70NSVBC143ZPDXV6T5GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563NSVBC114YDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563NSVBC144EPDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563NSVBC143ZPDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563NSVBC123JPDXV6T1GonsemiTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSVBAT54LT1GONsemiNSVBC124EPDXV6T1GonsemiSS SOT563 DUAL RSTR XSTR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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