NTB13N10 기술 사양
onsemi - NTB13N10 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTB13N10과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 165mOhm @ 6.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 64.7W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | NTB13 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTB13N10와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTB13N10 | NTB082N65S3F | NTB110N65S3HF | NTB18N06LG |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 기본 제품 번호 | NTB13 | NTB082 | NTB110 | NTB18 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK | D²PAK (TO-263) | D²PAK-3 (TO-263-3) | D2PAK |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 550 pF @ 25 V | 3410 pF @ 400 V | 2635 pF @ 400 V | 440 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±30V | ±30V | ±10V |
| 연속 | - | SuperFET® III | FRFET®, SuperFET® III | - |
| 전력 소비 (최대) | 64.7W (Ta) | 313W (Tc) | 240W (Tc) | 48.4W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 165mOhm @ 6.5A, 10V | 82mOhm @ 20A, 10V | 110mOhm @ 15A, 10V | 100mOhm @ 7.5A, 5V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 650 V | 650 V | 60 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13A (Ta) | 40A (Tc) | 30A (Tc) | 15A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 5V @ 4mA | 5V @ 740µA | 2V @ 250µA |
| 패키지 | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
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NTB0104GU12Freescale / NXP SemiconductorsNTB082N65S3FonsemiMOSFET N-CH 650V 40A D2PAKNTB110N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
NTB13N10T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB18N06LG MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB125N2AMI Semiconductor/onsemiNTB18N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB18N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB125N02RT4GonsemiMOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAKNTB125N02RGonsemiMOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAKNTB18N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB13N10T4GonsemiMOSFET N-CH 100V 13A D2PAKNTB150N65S3HFonsemiMOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3NTB0104GU12115Freescale / NXP Semiconductors
NTB0104GU12,115NXP USA Inc.IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 12XQFNNTB18N06LT4onsemiMOSFET N-CH 60V 15A D2PAKNTB13N10T4AMI Semiconductor/onsemi
NTB0104UKNXP USA Inc.DUAL SUPPLY TRANSLATING TRANSCEI| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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