NTB60N06L 기술 사양
onsemi - NTB60N06L 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTB60N06L과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±15V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D²PAK | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 16mOhm @ 30A, 5V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3075 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 65 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | NTB60 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTB60N06L와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTB60N06L | NTB60N06G | NTB60N06T4G | NTB5860NT4G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V | 10V | 10V | 10V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3075 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V | 10760 pF @ 25 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 16mOhm @ 30A, 5V | 14mOhm @ 30A, 10V | 14mOhm @ 30A, 10V | 3mOhm @ 75A, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | D²PAK | D²PAK | D²PAK | D2PAK |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 60A (Ta) | 60A (Ta) | 60A (Ta) | 220A (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 전력 소비 (최대) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | 2.4W (Ta), 150W (Tj) | 283W (Tc) |
| Vgs (최대) | ±15V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 연속 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | NTB60 | NTB60 | NTB60 | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 65 nC @ 5 V | 81 nC @ 10 V | 81 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
NTB60N06L - onsemi에 대한 NTB60N06L PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
NTB6412ANAMI Semiconductor/onsemiNTB5D0N15MCONsemiNTB60N06GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB60N06T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB5605P MOSAMI Semiconductor/onsemiNTB5860NT4GonsemiPOWER MOSFET 60V 169A, SINGLE N-NTB6411ANAMI Semiconductor/onsemiNTB6411ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 77A D2PAKNTB6410ANT4GonsemiMOSFET N-CH 100V 76A D2PAKNTB5605PT4GonsemiMOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKNTB60N06AMI Semiconductor/onsemiNTB60N06LT4GonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB6410ANGonsemiMOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
NTB5860NLT4GVBSEMINTB6410ANAMI Semiconductor/onsemiNTB60N06LGonsemiMOSFET N-CH 60V 60A D2PAKNTB5605PonsemiMOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKNTB5605PGonsemiMOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.