NTD4806NT4G 기술 사양
onsemi - NTD4806NT4G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTD4806NT4G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | DPAK | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2142 pF @ 12 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 11.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | NTD48 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTD4806NT4G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTD4806NT4G | NTD4806N-35G | NTD4805NT4G | NTD4806NA-35G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2142 pF @ 12 V | 2142 pF @ 12 V | 2865 pF @ 12 V | 2142 pF @ 12 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V | 4.5V, 11.5V | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 기본 제품 번호 | NTD48 | NTD48 | NTD4805 | NTD48 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 5mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | 12.7A (Ta), 95A (Tc) | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V | 48 nC @ 11.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
| 제조업체 장치 패키지 | DPAK | I-Pak | DPAK | I-Pak |
| 전력 소비 (최대) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | 1.41W (Ta), 79W (Tc) | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | - | - | - | - |
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NTD4806N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4805NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAKNTD4806NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4809NAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NA-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4806NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAKNTD4806N-1HAMI Semiconductor/onsemiNTD4808NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK
NTD4808N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4809AMI Semiconductor/onsemiNTD4806N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAKNTD4809NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAKNTD4809N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAKNTD4808NAMI Semiconductor/onsemiNTD4809N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAKNTD4808N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 10A/63A IPAKNTD4806NHGAMI Semiconductor/onsemiNTD4806NAMI Semiconductor/onsemi| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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