NTD4906N-1G 기술 사양
onsemi - NTD4906N-1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTD4906N-1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.5mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1932 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.3A (Ta), 54A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | NTD49 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTD4906N-1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTD4906N-1G | NTD4904N-1G | NTD4905NT4G | NTD4906N-35G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1932 pF @ 15 V | 3052 pF @ 15 V | 2340 pF @ 15 V | 1932 pF @ 15 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 전력 소비 (최대) | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) | - | 1.4W (Ta), 44W (Tc) | 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.3A (Ta), 54A (Tc) | 13A (Ta), 79A (Tc) | 12A (Ta), 67A (Tc) | 10.3A (Ta), 54A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | NTD49 | NTD49 | NTD49 | NTD49 |
| 제조업체 장치 패키지 | I-PAK | I-PAK | DPAK | I-Pak |
| Vgs (최대) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | - | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 연속 | - | - | - | - |
| 패키지 | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.5mOhm @ 30A, 10V | 3.7mOhm @ 30A, 10V | 4.5mOhm @ 30A, 10V | 5.5mOhm @ 30A, 10V |
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NTD4904N-1GonsemiMOSFET N-CH 30V 79A SGL IPAKNTD4905NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 12A/67A DPAKNTD4906N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAKNTD4906NGAMI Semiconductor/onsemiNTD4904N MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4904NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAKNTD4905AMI Semiconductor/onsemiNTD4906NAT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAKNTD4906N-1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4Honsemi30 V, 54 A, SINGLE N-CHANNEL, DPNTD4906NAT4HonsemiNTD4906N - 30V, 54A, N-CHANNELNTD4904N-35G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD4904NAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NAMI Semiconductor/onsemiNTD4906NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAKNTD4904N-35GonsemiMOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAKNTD4906NAS1AMI Semiconductor/onsemi| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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