NTHS4101PT1G 기술 사양
onsemi - NTHS4101PT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTHS4101PT1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±8V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | ChipFET™ | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 34mOhm @ 4.8A, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 1.3W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2100 pF @ 16 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.8A (Tj) | |
| 기본 제품 번호 | NTHS4101 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTHS4101PT1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTHS4101PT1G | NTHS2101PT1G | NTHS4501NT1G | NTHS5443T1 |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 34mOhm @ 4.8A, 4.5V | 25mOhm @ 5.4A, 4.5V | 38mOhm @ 4.9A, 10V | 65mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 8 V | 30 V | 20 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) | 1.3W (Ta) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.8A (Tj) | 5.4A (Tj) | 4.9A (Ta) | 3.6A (Ta) |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 2V @ 250µA | 600mV @ 250µA (Min) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 4.5 V | 9.1 nC @ 10 V | 12 nC @ 4.5 V |
| 기본 제품 번호 | NTHS4101 | NTHS21 | NTHS45 | NTHS54 |
| 제조업체 장치 패키지 | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ | ChipFET™ |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2100 pF @ 16 V | 2400 pF @ 6.4 V | 462 pF @ 24 V | - |
| Vgs (최대) | ±8V | ±8V | ±20V | ±12V |
NTHS4101PT1G - onsemi에 대한 NTHS4101PT1G PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
NTHS1206N17N1003JEVishay DaleTHERM NTC 100KOHM 4064K 1206
NTHS1206N02N1002KRVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 1206NTHS2101PT1GonsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS4501NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFETNTHS1206N02N5001JEVishay DaleTHERMISTOR NTC 5KOHM 3477K 1206NTHS5443T1onsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFETNTHS2101PT1onsemiMOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFETNTHS5441T1onsemiMOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFETNTHS4166NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
NTHS1206N04N3303JElectro-Films (EFI) / Vishay
NTHS4111PT1onsemiP-CHANNEL MOSFETNTHS5443T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFETNTHS1206N02N1002JRVishay DaleTHERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 1206NTHS5441T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFETNTHS4101PONsemiNTHS5404T1onsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFETNTHS4101PT1AMI Semiconductor/onsemiNTHS5404T1GonsemiMOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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