NTJD2152PT1G 기술 사양
onsemi - NTJD2152PT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTJD2152PT1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300mOhm @ 570mA, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 270mW | |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 225pF @ 8V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 775mA | |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | NTJD21 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTJD2152PT1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTJD2152PT1G | NTJD4105CT1G | NTJD4001NT1G | NTJD4152PT1 |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V | 20V, 8V | 30V | 20V |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 기본 제품 번호 | NTJD21 | NTJD4105 | NTJD4001 | NTJD4152 |
| 전력 - 최대 | 270mW | 270mW | 272mW | 272mW |
| 연속 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 3nC @ 4.5V | 1.3nC @ 5V | 2.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 225pF @ 8V | 46pF @ 20V | 33pF @ 5V | 155pF @ 20V |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 300mOhm @ 570mA, 4.5V | 375mOhm @ 630mA, 4.5V | 1.5Ohm @ 10mA, 4V | 260mOhm @ 880mA, 4.5V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 100µA | 1.2V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 775mA | 630mA, 775mA | 250mA | 880mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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NTJD1155LAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4001NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363NTJD4152PT1onsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363NTJD2152PT2GonsemiMOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363NTJD4105CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4152P1GAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CAMI Semiconductor/onsemiNTJD4001NAMI Semiconductor/onsemiNTJD3158CT2GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SC88-6NTJD4105CT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTJD4105CT2G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTJD2152PT1onsemiMOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363NTJD4105CT1AMI Semiconductor/onsemiNTJD1155LT1GonsemiMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363NTJD4105CT2onsemiMOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363NTJD4152PAMI Semiconductor/onsemiNTJD3158CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-363| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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