NTLJD3115PT1G 기술 사양
onsemi - NTLJD3115PT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTLJD3115PT1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-WDFN (2x2) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 2A, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 710mW | |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 531pF @ 10V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A | |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | NTLJD3115 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTLJD3115PT1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTLJD3115PT1G | NTLGD3502NT2G | NTLJD3119CTBG | NTLJD4116NT1G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 기본 제품 번호 | NTLJD3115 | NTLGD3502 | NTLJD3119 | NTLJD41 |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 60mOhm @ 4.3A, 4.5V | 65mOhm @ 3.8A, 4.5V | 70mOhm @ 2A, 4.5V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | 6-VDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | 4nC @ 4.5V | 3.7nC @ 4.5V | 6.5nC @ 4.5V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | - | - | µCool™ | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 전력 - 최대 | 710mW | 1.74W | 710mW | 710mW |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-WDFN (2x2) | 6-DFN (3x3) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A | 4.3A, 3.6A | 2.6A, 2.3A | 2.5A |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 531pF @ 10V | 480pF @ 10V | 271pF @ 10V | 427pF @ 15V |
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NTLJF4156NTAMI Semiconductor/onsemiNTLGD3502NT2GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFNNTLJD3119CTBGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFNNTLJF3117PRT1GAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3119CTBG MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLD7900ZR2AMI Semiconductor/onsemiNTLJD4116NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFNNTLJD3115PTAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3119CT1GAMI Semiconductor/onsemi
NTLG26115A/ANuvoton Technology CorporationNTLJD4116NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJD3115PTAGonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFNNTLJD2105LTBGonsemiMOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFNNTLJD3115PT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTLJF3117PT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFNNTLGD3502NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFNNTLJD3119CTAGonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6WDFNNTLGF3402PT2GonsemiMOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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