NTLJF4156NT1G 기술 사양
onsemi - NTLJF4156NT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTLJF4156NT1G과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | onsemi | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±8V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 6-WDFN (2x2) | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
전력 소비 (최대) | 710mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 427 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A (Tj) | |
기본 제품 번호 | NTLJF4156 |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTLJF4156NT1G와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | NTLJF4156NT1G | NTLJS17D0P03P8ZTAG | NTLJF3117PT1G | NTLJS2103PTAG |
제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
기본 제품 번호 | NTLJF4156 | NTLJS17 | NTLJF3117 | NTLJS21 |
제조업체 장치 패키지 | 6-WDFN (2x2) | 6-PQFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) | 6-WDFN (2x2) |
연속 | - | - | µCool™ | - |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | 6-PowerWDFN | 6-WDFN Exposed Pad | 6-WDFN Exposed Pad |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.2V, 4.5V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 427 pF @ 15 V | 1600 pF @ 15 V | 531 pF @ 10 V | 1157 pF @ 6 V |
Vgs (최대) | ±8V | ±25V | ±8V | ±8V |
FET 유형 | N-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | 38 nC @ 10 V | 6.2 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 4.5 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A (Tj) | 7A (Ta) | 2.3A (Ta) | 3.5A (Ta) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70mOhm @ 2A, 4.5V | 11.3mOhm @ 10A, 10V | 100mOhm @ 2A, 4.5V | 40mOhm @ 3A, 4.5V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 800mV @ 250µA |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
전력 소비 (최대) | 710mW (Ta) | 860mW (Ta) | 710mW (Ta) | 700mW (Ta) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 20 V | 12 V |
FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) | - | Schottky Diode (Isolated) | - |
NTLJF4156NT1G - onsemi에 대한 NTLJF4156NT1G PDF 데이터 시트 및 onsemi 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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