NTMFS4C08NAT1G 기술 사양
onsemi - NTMFS4C08NAT1G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTMFS4C08NAT1G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.8mOhm @ 18A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1670 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16.4A (Ta), 52A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | NTMFS4 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTMFS4C08NAT1G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTMFS4C08NAT1G | NTMFS4C05NAT1G | NTMFS4C06NT1G | NTMFS4C03NT1G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.1V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| 제조업체 장치 패키지 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 기본 제품 번호 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 | NTMFS4 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 전력 소비 (최대) | 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) | 2.57W (Ta), 33W (Tc) | 770mW (Ta), 30.5W (Tc) | 3.1W (Ta), 64W (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.8mOhm @ 18A, 10V | 3.4mOhm @ 30A, 10V | 4mOhm @ 30A, 10V | 2.1mOhm @ 30A, 10V |
| 연속 | - | - | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 45.2 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16.4A (Ta), 52A (Tc) | 21.7A (Ta), 78A (Tc) | 11A (Ta), 69A (Tc) | 30A (Ta), 136A (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1670 pF @ 15 V | 1972 pF @ 15 V | 1683 pF @ 15 V | 3071 pF @ 15 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
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NTMFS4C05NAT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 21.7A/78A 5DFNNTMFS4C06NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNNTMFS4C03NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 30A/136A 5DFNNTMFS4C09NAT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFNNTMFS4C08NT1AMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C06NAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C08NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C09NBT1GonsemiMOSFET N-CH 30V SO8FLNTMFS4C08NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFNNTMFS4C05NT1G-001onsemiMOSFET N-CH 30V 11.9A/78A 5DFNNTMFS4C06NBT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFNNTMFS4C09NAT1G-01AMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C10NONsemiNTMFS4C06NT1G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTMFS4C09NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 9A 5DFNNTMFS4C05NT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFNNTMFS4C06NT3GonsemiMOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFNNTMFS4C09NONsemi| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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