NTR1P02LT3G 기술 사양
onsemi - NTR1P02LT3G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 onsemi - NTR1P02LT3G과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | onsemi | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.25V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±12V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 400mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 225 pF @ 5 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5 nC @ 4 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | NTR1P02 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 onsemi NTR1P02LT3G와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | NTR1P02LT3G | NTR1P02T3G | NTR2101PT1 | NTR2101PT1G |
| 제조사 | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | NTR1P02 | NTR1P0 | NTR210 | NTR2101 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 225 pF @ 5 V | 165 pF @ 5 V | 1173 pF @ 4 V | 1173 pF @ 4 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 220mOhm @ 750mA, 4.5V | 180mOhm @ 1.5A, 10V | 52mOhm @ 3.5A, 4.5V | 52mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5 nC @ 4 V | 2.5 nC @ 5 V | 15 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 4.5 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 (TO-236) |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (최대) | ±12V | ±20V | ±8V | ±8V |
| 전력 소비 (최대) | 400mW (Ta) | 400mW (Ta) | 960mW (Ta) | 960mW (Ta) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 20 V | 8 V | 8 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.25V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 연속 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.3A (Ta) | 1A (Ta) | 3.7A (Ta) | 3.7A (Ta) |
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NTR1P02T3GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
NTR1P02LT1G-001AMI Semiconductor/onsemiNTR2101PT1onsemiMOSFET P-CH 8V 3.7A SOT23-3NTR2101NT1GAMI Semiconductor/onsemiNTR2101PT1GonsemiMOSFET P-CH 8V SOT23-3NTR1P02LAMI Semiconductor/onsemi
NTR1P02LT1GFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINTR1P02AMI Semiconductor/onsemi
NTR2101PSIPUSEMINTR06B1503BTRFNICNTR1P02LT1onsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23NTR1P02LT1HonsemiSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSINTR10B4991CTRFNICCOMPNTR3161NT1GonsemiMOSFET N-CH 20V 3.3A SOT23-3NTR1P02T1onsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR2101PTIGAMI Semiconductor/onsemiNTR1P02T1GonsemiMOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3NTR1P02LT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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