AUIRF3004WL 기술 사양
Infineon Technologies - AUIRF3004WL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - AUIRF3004WL과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-262-3 Wide | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4mOhm @ 195A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Wide Leads | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9450 pF @ 32 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 240A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | AUIRF3004 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies AUIRF3004WL와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | AUIRF3004WL | AUIRF3205Z | AUIRF2805 | AUIRF2807 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-262-3 Wide | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 210 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V | 160 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Wide Leads | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 패키지 | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 기본 제품 번호 | AUIRF3004 | AUIRF3205 | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | 55 V | 55 V | 75 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9450 pF @ 32 V | 3450 pF @ 25 V | 5110 pF @ 25 V | 3820 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | 170W (Tc) | 330W (Tc) | 230W (Tc) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 240A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4mOhm @ 195A, 10V | 6.5mOhm @ 66A, 10V | 4.7mOhm @ 104A, 10V | 13mOhm @ 43A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
AUIRF3004WL - Infineon Technologies에 대한 AUIRF3004WL PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
AUIRF3205ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A TO220ABAUIRF3205Z MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)AUIRF2805International RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNELAUIRF2807International RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRF3205ZSTRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 75A D2PAKAUIRF2804WLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
AUIRF3205ZPBFIRAUIRF2903ZSInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 160A D2PAKAUIRF2805 MOSIR
AUIRF2804STRL7PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 240A D2PAKAUIRF2804STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A D2PAKAUIRF3205Infineon TechnologiesAUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AUAUIRF2907ZInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 75A TO220ABAUIRF2804S-7PPBFIRAUIRF3315SInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET N CHANNELAUIRF3007International RectifierMOSFET N-CH 75V 75A TO220ABAUIRF3305International RectifierAUIRF3305 - 55V-60V N-CHANNEL AUAUIRF3205ZSInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 75A D2PAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.