AUIRF7484QTR 기술 사양
International Rectifier - AUIRF7484QTR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 International Rectifier - AUIRF7484QTR과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±8V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 14A, 7V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3520 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100 nC @ 7 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | 해당 사항 없음 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 International Rectifier AUIRF7484QTR와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | AUIRF7484QTR | AUIRF7738L2TR | AUIRF7416QTR | AUIRF7665S2TR |
| 제조사 | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies | International Rectifier |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100 nC @ 7 V | 194 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 14A, 7V | 1.6mOhm @ 109A, 10V | 20mOhm @ 5.6A, 10V | 62mOhm @ 8.9A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3520 pF @ 25 V | 7471 pF @ 25 V | 1700 pF @ 25 V | 515 pF @ 25 V |
| 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta) | 3.3W (Ta), 94W (Tc) | 2.5W (Ta) | 2.4W (Ta), 30W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | DirectFET™ Isometric L6 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | DirectFET™ Isometric SB |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±8V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 40 V | 40 V | 30 V | 100 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO | DIRECTFET L6 | 8-SO | DIRECTFET SB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Ta) | 35A (Ta), 130A (Tc) | 10A (Ta) | 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.04V @ 250µA | 5V @ 25µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
AUIRF7738L2TRInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 35A/130A DIRECTAUIRF7416QTRPBFIRAUIRF7416QTRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 10A 8SOAUIRF7648M2TRInfineonAUIRF7665S2TRInternational RectifierAUTOMOTIVE DIRECTFET N CHANNELAUIRF7478QTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 7A 8SOAUIRF7478QTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)AUIRF7379Q MOSIRAUIRF7379QTRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SOAUIRF7675M2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 4.4A DIRECTFETAUIRF7379QInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOICAUIRF7343QTRPBFIRAUIRF7736M2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFETAUIRF7484Q MOSIRAUIRF7739L2TR1IR
AUIRF7737L2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 31A DIRECTFETAUIRF7739L2TRInfineonAUIRF7732S2TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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