BCR562E6327 기술 사양
Infineon Technologies - BCR562E6327 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - BCR562E6327과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | - | |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | - | |
트랜지스터 유형 | - | |
제조업체 장치 패키지 | - | |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | - | |
저항기 -베이스 (R1) | - |
제품 속성 | 속성 값 | |
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전력 - 최대 | - | |
패키지 / 케이스 | - | |
실장 형 | - | |
주파수 - 전환 | - | |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | - | |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | - | |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | - |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies BCR562E6327와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | BCR562E6327 | BCR553E6327HTSA1 | BCR583E6327 | BCR553E6327 |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
저항기 -베이스 (R1) | - | 2.2 kOhms | 10 kOhms | - |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | - | 500 mA | 500 mA | - |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 | - | 40 @ 50mA, 5V | 70 @ 50mA, 5V | - |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | - | 50 V | 50 V | - |
주파수 - 전환 | - | 150 MHz | 150 MHz | - |
제조업체 장치 패키지 | - | PG-SOT23 | PG-SOT23-3-1 | - |
트랜지스터 유형 | - | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | - |
전력 - 최대 | - | 330 mW | 330 mW | - |
패키지 / 케이스 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
저항기 - 이미 터베이스 (R2) | - | 2.2 kOhms | 10 kOhms | - |
실장 형 | - | Surface Mount | Surface Mount | - |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | - | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | - |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) | - | 300mV @ 2.5mA, 50mA | 300mV @ 2.5mA, 50mA | - |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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