BSA223SP 기술 사양
Infineon Technologies - BSA223SP 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - BSA223SP과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1.5µA | |
Vgs (최대) | ±12V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PG-SC-75 | |
연속 | OptiMOS™ | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | |
전력 소비 (최대) | 250mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SC-75, SOT-416 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 56 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.62 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | P-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 390mA (Ta) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies BSA223SP와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | BSA223SP | IRFP7718PBF | IRF6645TR1PBF | BSB056N10NN3GXUMA1 |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 75 V | 100 V | 100 V |
FET 유형 | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.62 nC @ 4.5 V | 830 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 74 nC @ 10 V |
패키지 / 케이스 | SC-75, SOT-416 | TO-247-3 | DirectFET™ Isometric SJ | 3-WDSON |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V | 1.8mOhm @ 100A, 10V | 35mOhm @ 5.7A, 10V | 5.6mOhm @ 30A, 10V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 390mA (Ta) | 195A (Tc) | 5.7A (Ta), 25A (Tc) | 9A (Ta), 83A (Tc) |
제조업체 장치 패키지 | PG-SC-75 | TO-247AC | DIRECTFET™ SJ | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
전력 소비 (최대) | 250mW (Ta) | 517W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Vgs (최대) | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 6V, 10V | 10V | 6V, 10V |
FET 특징 | - | - | - | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 56 pF @ 15 V | 29550 pF @ 25 V | 890 pF @ 25 V | 5500 pF @ 50 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1.5µA | 3.7V @ 250µA | 4.9V @ 50µA | 3.5V @ 100µA |
연속 | OptiMOS™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | OptiMOS™ |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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