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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글BSC123N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.

BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

제조사 제품 모델
BSC123N08NS3GATMA1
제조사
Infineon Technologies
Allelco 제품 모델
32D-BSC123N08NS3GATMA1
ECAD 모델
부품 설명
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
상세 설명
포장
8-PowerTDFN
데이터 시트
BSC123N08NS3GATMA1.pdf
RoHS 상태
유품: 68840

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수량

규격

BSC123N08NS3GATMA1 기술 사양
Infineon Technologies - BSC123N08NS3GATMA1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - BSC123N08NS3GATMA1과 유사한 사양을 가진 부품

제품 속성 속성 값  
제조사 Infineon Technologies  
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 33µA  
Vgs (최대) ±20V  
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)  
제조업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-1  
연속 OptiMOS™  
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12.3mOhm @ 33A, 10V  
전력 소비 (최대) 2.5W (Ta), 66W (Tc)  
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN  
패키지 Tape & Reel (TR)  
제품 속성 속성 값  
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)  
실장 형 Surface Mount  
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1870 pF @ 40 V  
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
FET 유형 N-Channel  
FET 특징 -  
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V  
소스 전압에 드레인 (Vdss) 80 V  
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 55A (Tc)  
기본 제품 번호 BSC123  

비슷한 규격의 부품

오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1와 비슷합니다

제품 속성 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 BSC120N03MSGATMA1
제품 모델 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 BSC120N03MSGATMA1
제조사 Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 25 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12.3mOhm @ 33A, 10V 12.3mOhm @ 50A, 10V 125mOhm @ 5.7A, 10V 12mOhm @ 30A, 10V
실장 형 Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET 특징 - - - -
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 33µA 2.4V @ 72µA 4V @ 25µA 2V @ 250µA
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
패키지 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
연속 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
소스 전압에 드레인 (Vdss) 80 V 100 V 200 V 30 V
제조업체 장치 패키지 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-5
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1870 pF @ 40 V 4900 pF @ 50 V 680 pF @ 100 V 1500 pF @ 15 V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비 (최대) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 114W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
FET 유형 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta), 55A (Tc) 10.6A (Ta), 71A (Tc) 11.3A (Tc) 11A (Ta), 39A (Tc)
기본 제품 번호 BSC123 BSC123 BSC12DN20 BSC120
Vgs (최대) ±20V ±20V ±20V ±20V

BSC123N08NS3GATMA1 데이터 시트 PDF

BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies에 대한 BSC123N08NS3GATMA1 PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.

기타 관련 문서
Part Number Guide.pdf
PCN 포장
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf
PCN 어셈블리/원산지
Assembly Site Add 20/Jun/2016.pdf
PCN 기타
Multiple Changes 09/Jul/2014.pdf

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지역 국가 물류 시간 (일)
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브라질 7
유럽 독일 5
영국 4
이탈리아 5
오세아니아 호주 6
뉴질랜드 5
아시아 인도 4
일본 4
중동 이스라엘 6
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조
배송 요금 (kg) 참조 DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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