BSD235NH6327XTSA1 기술 사양
Infineon Technologies - BSD235NH6327XTSA1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - BSD235NH6327XTSA1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1.6µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-SOT363-PO | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 350mOhm @ 950mA, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 63pF @ 10V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 950mA | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | BSD235 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | BSD235NH6327XTSA1 | BSD235CH6327XTSA1 | BSD235CL6327 | BSD235N |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 기본 제품 번호 | BSD235 | BSD235 | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 1.6µA | 1.2V @ 1.6µA | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 950mA | 950mA, 530mA | - | - |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | - | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V | 0.34nC @ 4.5V | - | - |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - | - |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2 | OptiMOS™ | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| 전력 - 최대 | 500mW | 500mW | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-SOT363-PO | PG-SOT363-6-1 | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 20V | - | - |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 63pF @ 10V | 47pF @ 10V | - | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 350mOhm @ 950mA, 4.5V | 350mOhm @ 950mA, 4.5V | - | - |
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BSD235CL6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSD235NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
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|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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