CY7C1041G30-10ZSXET 기술 사양
Infineon Technologies - CY7C1041G30-10ZSXET 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - CY7C1041G30-10ZSXET과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 10ns | |
| 전압 - 공급 | 2.2V ~ 3.6V | |
| 과학 기술 | SRAM - Asynchronous | |
| 제조업체 장치 패키지 | 44-TSOP II | |
| 연속 | - | |
| 패키지 / 케이스 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 메모리 유형 | Volatile | |
| 메모리 크기 | 4Mbit | |
| 메모리 조직 | 256K x 16 | |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | |
| 메모리 형식 | SRAM | |
| 기본 제품 번호 | CY7C1041 | |
| 액세스 시간 | 10 ns |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies CY7C1041G30-10ZSXET와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | CY7C1041G30-10ZSXET | CY7C1041G30-10ZSXA | CY7C1041GE30-10VXI | CY7C1041GN-10ZSXIT |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 액세스 시간 | 10 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns |
| 기본 제품 번호 | CY7C1041 | CY7C1041 | CY7C1041 | CY7C1041 |
| 연속 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400', 10.16mm Width) | 44-BSOJ (0.400', 10.16mm Width) | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 메모리 형식 | SRAM | SRAM | SRAM | SRAM |
| 과학 기술 | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tray | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 10ns | 10ns | 10ns | 10ns |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 메모리 크기 | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit | 4Mbit |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 메모리 조직 | 256K x 16 | 256K x 16 | 256K x 16 | 256K x 16 |
| 전압 - 공급 | 2.2V ~ 3.6V | 2.2V ~ 3.6V | 2.2V ~ 3.6V | 4.5V ~ 5.5V |
| 제조업체 장치 패키지 | 44-TSOP II | 44-TSOP II | 44-SOJ | 44-TSOP II |
| 메모리 유형 | Volatile | Volatile | Volatile | Volatile |
CY7C1041G30-10ZSXET - Infineon Technologies에 대한 CY7C1041G30-10ZSXET PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
CY7C1041GE30-10BVXICypress SemiconductorCY7C1041G30-10ZSXAInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1041G30-10BVXITCypress SemiconductorCY7C1041GE30-10VXIInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJCY7C1041GN-10ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1041G30-10ZSXIInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1041G30-10ZSXEInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
CY7C1041G30-10BVJXIInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGACY7C1041G-10VXITCypress SemiconductorCY7C1041GN30-10BVXICypress SemiconductorCY7C1041G30-10ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1041G30-10BVXICypress SemiconductorCY7C1041G-10ZSXIInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IICY7C1041G30-10ZSXIESCypress SemiconductorCY7C1041G-10VXICypress SemiconductorCY7C1041GE30-10ZSXICypress SemiconductorCY7C1041GN30-10BVJXICypress SemiconductorCY7C1041G-10ZSXITInfineon TechnologiesIC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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