IPD122N10N3GATMA1 기술 사양
Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPD122N10N3GATMA1과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 46µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
연속 | OptiMOS™ | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.2mOhm @ 46A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 94W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2500 pF @ 50 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 59A (Tc) | |
기본 제품 번호 | IPD122 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPD122N10N3GATMA1와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IPD122N10N3GATMA1 | IPD127N06LGBTMA1 | IPD12CN10NG | IPD12CN10N |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | 69 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 59A (Tc) | 50A (Tc) | 67A (Tc) | 67A (Tc) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 60 V | 100 V | 100 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 46µA | 2V @ 80µA | 4V @ 83µA | 4V @ 83µA |
연속 | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 2 | OptiMOS™ |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2500 pF @ 50 V | 2300 pF @ 30 V | 4320 pF @ 50 V | 4320 pF @ 50 V |
기본 제품 번호 | IPD122 | IPD127 | - | - |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
전력 소비 (최대) | 94W (Tc) | 136W (Tc) | 125W (Tc) | 125W (Tc) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 12.2mOhm @ 46A, 10V | 12.7mOhm @ 50A, 10V | 12.4mOhm @ 67A, 10V | 12.4mOhm @ 67A, 10V |
FET 특징 | - | - | - | - |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-313 |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | 10V |
IPD122N10N3GATMA1 - Infineon Technologies에 대한 IPD122N10N3GATMA1 PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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