IPD50R1K4CEBTMA1 기술 사양
Infineon Technologies - IPD50R1K4CEBTMA1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPD50R1K4CEBTMA1과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 70µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
연속 | CoolMOS™ CE | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4Ohm @ 900mA, 13V | |
전력 소비 (최대) | 25W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 178 pF @ 100 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 13V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Tc) | |
기본 제품 번호 | IPD50R |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | IPD50R1K4CEBTMA1 | IPD50R2K0CEAUMA1 | IPD50R280CEAUMA1 | IPD50P04P4L11ATMA1 |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
기본 제품 번호 | IPD50R | IPD50R2 | IPD50R | IPD50 |
전력 소비 (최대) | 25W (Tc) | 33W (Tc) | 119W (Tc) | 58W (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 13V | 13V | 13V | 4.5V, 10V |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Tc) | 2.4A (Tc) | 13A (Ta) | 50A (Tc) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 70µA | 3.5V @ 50µA | 3.5V @ 350µA | 2.2V @ 85µA |
FET 특징 | - | - | - | - |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 32.6 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 40 V |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-313 |
연속 | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE | Automotive, OptiMOS™-P2 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 178 pF @ 100 V | 124 pF @ 100 V | 773 pF @ 100 V | 3900 pF @ 25 V |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.4Ohm @ 900mA, 13V | 2Ohm @ 600mA, 13V | 280mOhm @ 4.2A, 13V | 10.6mOhm @ 50A, 10V |
IPD50R1K4CEBTMA1 - Infineon Technologies에 대한 IPD50R1K4CEBTMA1 PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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