IPF05N03LAG 기술 사양
Infineon Technologies - IPF05N03LAG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPF05N03LAG과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 50µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3-23 | |
연속 | OptiMOS™ | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.1mOhm @ 30A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 94W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
패키지 | Bulk |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3110 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPF05N03LAG와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
---|---|---|---|---|
제품 모델 | IPF05N03LAG | SSM3J331R,LF | IRFP254 | IRFB260NPBF |
제조사 | Infineon Technologies | Toshiba Semiconductor and Storage | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 1.5V, 4.5V | 10V | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | 20 V | 250 V | 200 V |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
FET 유형 | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) | 4A (Ta) | 23A (Tc) | 56A (Tc) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25 nC @ 5 V | 10.4 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 50µA | 1V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
연속 | OptiMOS™ | U-MOSVI | - | HEXFET® |
제조업체 장치 패키지 | PG-TO252-3-23 | SOT-23F | TO-247AC | TO-220AB |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3110 pF @ 15 V | 630 pF @ 10 V | 2700 pF @ 25 V | 4220 pF @ 25 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | SOT-23-3 Flat Leads | TO-247-3 | TO-220-3 |
전력 소비 (최대) | 94W (Tc) | 1W (Ta) | 190W (Tc) | 380W (Tc) |
FET 특징 | - | - | - | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5.1mOhm @ 30A, 10V | 55mOhm @ 3A, 4.5V | 140mOhm @ 14A, 10V | 40mOhm @ 34A, 10V |
Vgs (최대) | ±20V | ±8V | ±20V | ±20V |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
---|---|---|
지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
---|---|
배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? CART 및 에 추가하여 RFQ 을 제출하십시오. 즉시 연락하겠습니다.