IPI60R190C6 기술 사양
Infineon Technologies - IPI60R190C6 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPI60R190C6과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Infineon Technologies | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | - | |
제조업체 장치 패키지 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | |
전력 - 최대 | - | |
패키지 / 케이스 | - | |
작동 온도 | - |
제품 속성 | 속성 값 | |
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실장 형 | - | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | |
FET 유형 | - | |
FET 특징 | - | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPI60R190C6와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IPI60R190C6 | IPI60R199CP | IPI50R299CP | IPI60R125CP |
제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | - | 1190 pF @ 100 V | - |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - | - | 12A (Tc) | - |
패키지 / 케이스 | - | - | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - |
제조업체 장치 패키지 | - | - | PG-TO262-3-1 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | - | 500 V | - |
전력 - 최대 | - | - | - | - |
FET 특징 | - | - | - | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | - | - | 3.5V @ 440µA | - |
작동 온도 | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
실장 형 | - | - | Through Hole | - |
FET 유형 | - | - | N-Channel | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | - | - | 299mOhm @ 6.6A, 10V | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - | - | 31 nC @ 10 V | - |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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