IPP084N06L3GXKSA1 기술 사양
Infineon Technologies - IPP084N06L3GXKSA1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPP084N06L3GXKSA1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 34µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 연속 | OptiMOS™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.4mOhm @ 50A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 79W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4900 pF @ 30 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IPP084 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPP084N06L3GXKSA1와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IPP084N06L3GXKSA1 | IPP083N10N5AKSA1 | IPP086N10N3G | IPP086N10N3 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 34µA | 3.8V @ 49µA | - | 3.5V @ 75µA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | - | N-Channel |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | 37 nC @ 10 V | - | 55 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | - | TO-220-3 |
| 전력 소비 (최대) | 79W (Tc) | 100W (Tc) | - | 125W (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 100 V | - | 100 V |
| 패키지 | Tube | Tube | - | Bulk |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4900 pF @ 30 V | 2730 pF @ 50 V | - | 3980 pF @ 50 V |
| 제조업체 장치 패키지 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | - | PG-TO220-3-1 |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.4mOhm @ 50A, 10V | 8.3mOhm @ 73A, 10V | - | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | - | Through Hole |
| 연속 | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | OptiMOS™ |
| 기본 제품 번호 | IPP084 | IPP083 | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 50A (Tc) | 73A (Tc) | - | 80A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 6V, 10V | - | 6V, 10V |
IPP084N06L3GXKSA1 - Infineon Technologies에 대한 IPP084N06L3GXKSA1 PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IPP08CN10LINFIPP083N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 73A TO220-3IPP080N06NINFIPP080N06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP083N10N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP084N06L3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP084N06L3 G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP086N10N3GInfineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8IPP086N10N3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPP08CN10LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP086N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP085N06LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPP082N10NF2SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP086N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 80A TO220-3IPP08CN10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP080N06NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP086N10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPP082N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.