IPU10N03LA 기술 사양
Infineon Technologies - IPU10N03LA 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IPU10N03LA과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 20µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | P-TO251-3-1 | |
| 연속 | OptiMOS™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.4mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 52W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1358 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IPU10N |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IPU10N03LA와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IPU10N03LA | IPU60R1K4C6 | IPU60R1K0CE | IPU50R2K0CE |
| 제조사 | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.4mOhm @ 30A, 10V | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V | 1Ohm @ 1.5A, 10V | - |
| 기본 제품 번호 | IPU10N | - | - | IPU50R |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 20µA | 3.5V @ 90µA | 3.5V @ 130µA | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) | 3.2A (Tc) | 6.8A (Tc) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1358 pF @ 15 V | 200 pF @ 100 V | 280 pF @ 100 V | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 25 V | 650 V | 600 V | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| 연속 | OptiMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | * |
| 전력 소비 (최대) | 52W (Tc) | 28.4W (Tc) | 61W (Tc) | - |
| 패키지 | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 11 nC @ 5 V | 9.4 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | - |
| 제조업체 장치 패키지 | P-TO251-3-1 | PG-TO-251-3-341 | PG-TO251-3 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
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IPU09N03LALNFINEONIPU075N03LGVBSEMIIPU09N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU09N03LBGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU135N03LGVBSEMIIPU60R1K5CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU06N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU06N03LZCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU090N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU12N03LVBSEMIIPU60R1K4C6Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPU60R1K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPU50R1K4CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU09N03LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU13N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU06N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU13N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPU50R2K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET CE| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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